Патенты автора Лаченков Сергей Анатольевич (RU)
Изобретение относится к оптике и аналитической технике и может быть применено для определения наличия следовых количеств летучих веществ. Способ регистрации следовых количеств веществ в газовой среде, вызывающих поверхностную оптическую сенсибилизацию галоидного серебра под действием света в трехслойной тонкой пленочной структуре, содержащий зеркальный серебряный слой, защитный слой и слой из галогенида серебра, по изменению формы кривой коэффициента отражения падающего излучения от угла падения, отличающийся тем, что одновременно с засветкой молекул светом с частотой излучения, совпадающей с линией поглощения и вызывающей поверхностную оптическую сенсибилизацию, включается постоянное электрическое поле, параллельное плоскости пленок. Технический результат заключается в повышении чувствительности регистрации следовых количеств веществ в газовой среде.
Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается устройства для исследования толщины и диэлектрических свойств тонких пленок. Устройство включает в себя два лазера с различной длиной волны, делительный кубик, расширитель светового потока, линзу, два поляризатора, устройство нарушения полного внутреннего отражения, зеркало, фокусирующий объектив и светочувствительную матрицу. Устройство нарушения полного внутреннего отражения выполнено в виде полуцилиндрической линзы с отражающим элементом на ее плоскости в виде тонкой металлической пленки. Оптические оси поляризаторов составляют угол 45° с плоской поверхностью полуцилиндрической линзы, причем второй по ходу луча поляризатор может осуществлять как р-поляризацию, так и s-поляризацию. Элементы устройства размещены на платформе, перпендикулярной плоской поверхности полуцилиндрической линзы, причем платформа имеет возможность поворота вокруг вертикальной оси полуцилиндрической линзы, а зеркало имеет возможность поворота вокруг оси, перпендикулярной платформе. Технический результат заключается в обеспечении возможности одновременного измерения толщины и диэлектрической проницаемости тонких пленок в процессе их изготовления. 1 ил.
Изобретение относится к способам повышения критической температуры сверхпроводящего перехода (Тс) в высокотемпературных сверхпроводниках (ВТСП) и может быть использовано для создания различного рода датчиков и счетчиков в сверхбыстродействующих электронных устройствах, криоэлектронных приборах, детекторов СВЧ и др. На высокотемпературный сверхпроводник наносят слой диэлектрика, поверх которого наносят слой проводника и создают разность потенциалов между сверхпроводником и слоем проводника, соединив их с источником напряжения. Источник напряжения регулируется по величине напряжения. Изобретение обеспечивает повышение критической температуры сверхпроводящего перехода в поверхностном слое высокотемпературного сверхпроводника. 1 з.п. ф-лы.
Использование: для создания структур высокотемпературный сверхпроводник – диэлектрик – высокотемпературный сверхпроводник. Сущность изобретения заключается в том, что на слой высокотемпературного сверхпроводника 123-типа направляют поток атомных частиц, в качестве высокотемпературного сверхпроводника берут сверхпроводник состава REBa2Cu3O7, где RE - редкоземельный металл или иттрий. Технический результат: обеспечение возможности формирования слоев без дополнительного напыления ВТСП, что удешевляет производство и уменьшает вероятность разрушения изделия. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 пр.
