Патенты автора Ковалюк Вадим Викторович (RU)
Изобретение относится к технологии и способам размещения наноалмазов с NV-центрами на оптических структурах из Si3N4 и может быть использовано в будущих устройствах нанофотоники. Способ размещения наноалмазов на структурах из нитрида кремния включает покрытие защитным резистом с последующей электронной литографией для образования «окон», в которых должны размещаться наноалмазы. Раствор наноалмазов поддерживают до полного высыхания при постоянной температуре 20-24°С или при повышении температуры с 25°С до 70°С в течение 10-15 минут. После взрывной литографии наноалмазы остаются на месте «окон» на поверхности нитрида кремния. Технический результат: контролируемое размещение алмазов с NV-центрами в «окнах» с низкой вероятностью образования крупных агломератов. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Использование: для изготовления высокочувствительных приемников одиночных фотонов видимого и инфракрасного диапазонов. Сущность изобретения заключается в том, что сверхбыстрый и сверхчувствительный гибридный сверхпроводниковый нановолноводный однофотонный детектор с низкой скоростью темнового счета включает в себя чувствительный нанопровод из сверхпроводниковой пленки NbN, расположенный на нановолноводе Si3N4, и защитное диэлектрико-металлическое покрытие, состоящее из слоя диэлектрика SiO2 и слоя металла Al, нанесенного поверх нанопровода. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения ложных срабатываний сверхпроводникового однофотонного волноводного детектора и увеличения чувствительности сверхпроводникового однофотонного волноводного детектора. 3 ил.
Использование: для регистрации отдельных фотонов видимого и инфракрасного диапазонов. Сущность изобретения заключается в том, что сверхпроводниковый однофотонный детектор содержит подложку, контактные площадки, размещенные на ней, чувствительный элемент, выполненный в форме меандра из сверхпроводящего материала, расположенный между контактными площадками, концы которого подсоединены к последним, при этом к чувствительному элементу последовательно подключен полосковый резистор, сопротивление которого превышает сопротивление контактных площадок, расположенный с зазором относительно подложки, на расстоянии от нее, не превышающем значение, получаемое из следующего выражения: L=V×(t/2), где V - скорость распространения сигнала в линии; t - длительность импульса. Технический результат: обеспечение возможности бессрочного сохранения информации о попадании одиночного фотона в детектор, а также повышение квантовой эффективности детектора. 8 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.
