Патенты автора ЯМАНАКА Цукаса (JP)

Изобретение относится к контейнеру, содержащему блок корпуса, который включает органический обрабатывающий раствор для формирования структуры резистной пленки химического усиления, представляющий собой органический проявитель. При этом органический обрабатывающий раствор содержит 1 ч./млн. или менее алкилолефина, имеющего количество атомов углерода, составляющее 22 или менее, и 5 ч./млн. или менее концентрации металлического элемента для каждого из Na, K, Са, Fe, Cu, Mg, Mn, Li, Al, Cr, Ni и Zn. Блок корпуса имеет внутреннюю стенку, приходящую в соприкосновение с органическим обрабатывающим раствором, при этом внутренняя стенка сделана из перфторсмолы. Органический проявитель содержит по меньшей мере один проявитель, выбираемый из группы, состоящей из основанного на кетоне растворителя, основанного на сложном эфире растворителя, основанного на спирту растворителя, основанного на амиде растворителя и основанного на эфире растворителя. Также предложен вариант контейнера, способ формирования структуры резистной пленки химического усиления и способ производства электронного устройства. Изобретение позволяет снизить встречаемость частиц, которые представляют проблемы в тонкой структуре. 4 н. и 6 з.п. ф-лы, 3 табл., 16 пр.

Изобретение относится к области литографии и касается способа формирования изображения. Способ включает в себя нанесение растворителя на подложку, нанесение чувствительной к излучению полимерной композиции на подложку таким образом, чтобы в результате сформировалась чувствительная к излучению пленка, облучение чувствительной к излучению пленки светом, проявление облученной пленки проявителем, содержащим органический растворитель для формирования негативного изображения. Полимерную композицию наносят на подложку в то время, пока растворитель остается на подложке. Растворитель выбирают таким образом, чтобы давление пара растворителя составляло от 0,2 кПа до 0,7 кПа при 20°С. Технический результат заключается в улучшении однородности ширины получаемых линий и сокращении образования непроявленного остатка фоторезиста. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 7 табл.

 


Наверх