Патенты автора Хусяинов Динар Ильгамович (RU)

Изобретение может быть использовано для создания активного слоя в фотопроводящих антеннах-детекторах и генераторах электромагнитного излучения терагерцевого диапазона. Материал для фотопроводящих антенн согласно изобретению представляет собой пленку GaAs, эпитаксиально выращенную на подложке GaAs с кристаллографической ориентацией (111)А при пониженной температуре роста, легированную атомами кремния, причем соотношение потоков мышьяка и галлия при эпитаксиальном росте выбрано таким, чтобы большая часть атомов кремния являлась акцепторной примесью. Изобретение обеспечивает предложенный полупроводниковый фотопроводящий материал, имеющий сверхмалое время жизни фотовозбужденных носителей заряда, может быть получен упрощенным технологическим способом эпитаксиального выращивания.

 


Наверх