Патенты автора Можевитина Елена Николаевна (RU)

Изобретение относится к технологии неорганических материалов, в частности высокочистых элементарных веществ, и касается разработки способа повышения примесной чистоты элементарного теллура. В способе очистки элементарного теллура методом вакуумной дистилляции перед очисткой к исходному теллуру добавляют навеску металлического цинка. Затем полученную смесь расплавляют и выдерживают при температуре 750-850°С при давлении инертного газа, достаточном для подавления испарения расплава. Затем снижают температуру до 490-530°С и проводят дистилляцию в вакууме, осаждают очищенный теллур при температуре 390-410°С. Обеспечивается повышение эффективности очистки теллура от примеси селена в процессе вакуумной дистилляции, а также упрощение процесса очистки и уменьшение количества стадий. 6 з.п. ф-лы, 2 табл., 2 пр.

Изобретение может быть использовано для получения триоксида молибдена высокой чистоты, используемого при выращивании монокристаллов трибората лития, при синтезе сырья для выращивания монокристаллов молибдата лития и теллуритных стекол. Очистку триоксида молибдена ведут сублимацией в вакууме. Перед очисткой триоксид молибдена смешивают с оксидом d-элемента. Полученную смесь прокаливают при температуре 650-700°C. При этом создают давление кислорода 0,2-1 атм. Прокаленную смесь очищают сублимацией в вакууме при температуре 650-715°C, осаждают очищенный триоксид молибдена в градиенте температуры 520-600°C. Сублимацию смеси в вакууме чередуют с окислением смеси при давлении кислорода 0,1-0,4 атм. Изобретение позволяет снизить количество примесей металлов в триоксиде молибдена до 10-3 мас.%, получить триоксид молибдена с фиксированным отклонением состава от стехиометрического в пределах области гомогенности фазы α-MoO3 с содержанием основного вещества не менее 99,995 мас.% и выходом очищенного продукта 82-85%, уменьшить количество отходов. 2 табл., 2 пр.

 


Наверх