Патенты автора Пимкин Никита Андреевич (RU)
Способ получения оболочечного поликристаллического волоконного световода инфракрасного диапазона // 2780763
Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается способа получения оболочечного поликристаллического волоконного световода инфракрасного диапазона из галогенидов серебра и таллия. Способ включает в себя формирование стержня и втулки выпрессовкой из кристаллов галогенидов серебра и таллия, сборку оболочечной заготовки и проведение процесса экструзии оболочечного оптического волокна. Перед сборкой оболочечной заготовки стержень и втулку обрабатывают на ультрапрецизионном токарном станке алмазного точения до достижения шероховатости контактирующих цилиндрических поверхностей не более 0,01 мкм и величин некруглости и непрямолинейности образующей поверхности не более 1 мкм. Технический результат заключается в снижении оптических потерь в оболочечном световоде.
Изобретение относится к материалам детекторов для регистрации ионизирующего излучения, а также может быть использовано как оптический материал для ИК-оптики, лазерной техники, акустооптики. Кристаллы на основе бромида таллия дополнительно содержат 0,0028-0,00008 мас.% примеси бромида магния. Техническим результатом изобретения является повышение детекторных характеристик материала: μτе до 7,8⋅10-4 см2/В, μτh до 2,5⋅10-4 см2/В, удельного сопротивления до 1⋅1012 Ом⋅см, и обеспечение стабильности свойств в процессе эксплуатации. 1 табл.
Изобретение относится к области получения материалов, прозрачных в инфракрасной области спектра, которые могут быть использованы для изготовления оптических элементов, прозрачных в области длин волн от 0,4 до 25 мкм, изготовления неохлаждаемых детекторов χ- и γ-излучений для ядерно-физических методов диагностики и контроля, а также изготовления волоконных световодов ИК-диапазона. Способ получения кристаллов галогенидов таллия для инфракрасной оптики включает синтез галогенида таллия взаимодействием расплава металлического таллия, взятого с избытком, с парами галогена в вакууме, при температуре на 10-30°C ниже температуры плавления образующегося галогенида таллия, который проводят в горизонтально установленном контейнере, выполненном в виде двух емкостей, соединенных по оси полой перетяжкой, и вращающемся вокруг продольной оси со скоростью 120-150 об/мин, отделение избыточного металла от слитка синтезированного галогенида таллия, очистку полученного галогенида таллия вакуумной дистилляцией и направленной кристаллизацией расплава с последующим выращиванием кристалла. Технический результат изобретения состоит в упрощении процесса выращивания кристаллов и повышении их оптического качества. 2 ил., 2 пр.
