Патенты автора Исламов Дамир Ревинирович (RU)
Способ изготовления активного слоя для универсальной памяти на основе резистивного эффекта // 2611580
Способ относится к вычислительной технике - к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключенном питании. Способ изготовления активного слоя для универсальной памяти на основе резистивного эффекта включает осаждение на подложку слоя диэлектрика - окиси гафния. При осаждении получают окись гафния нестехиометрического состава - HfOx, содержащую вакансии кислорода. Осаждение проводят ионно-лучевым распылением-осаждением Hf мишени в кислородсодержащей атмосфере. При этом задают стехиометрический состав х с х<2 парциальным давлением кислорода. Давление выбирают величиной от 2×10-4 Па до 1×10-2 Па, включая указанные значения. В результате обеспечивается появление на вольт-амперной характеристике резистивного элемента окна гистерезиса, получение обратимого резистивного переключения без осуществления процесса формовки, и предотвращение возможного выхода из строя элемента памяти на подготовительном к работе этапе. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
