Патенты автора Воронковский Виталий Александрович (RU)
Способ получения активного слоя для бесформовочного элемента энергонезависимой резистивной памяти // 2779436
Изобретение относится к изготовлению мемристора. В способе формируют на предварительно подготовленной подложке диэлектрический слой нестехиометрического оксида гафния HfOx с составом х<2, обеспечивающим резистивное переключение. Затем в отношении диэлектрического слоя осуществляют локальную электронно-лучевую кристаллизацию с формированием филамента. При этом облучают электронным пучком участок поверхности диэлектрического слоя по площади, сопоставимый с поперечным размером филамента. Значение энергии электронов в пучке выбирают из условия согласования ее с толщиной диэлектрического слоя - для формирования филамента с протяжением его в активном слое от бомбардируемой электронами поверхности до расположенной напротив поверхности диэлектрического слоя. Флюенс электронов равен минимальному значению или более его, обеспечивающему локальную электронно-лучевую кристаллизацию с формированием филамента, способного к реализации резистивного переключения, но не более значения флюенса, обеспечивающего локальную электронно-лучевую кристаллизацию с формированием филамента, не способного к реализации резистивного переключения. Технический результат заключается в устранении необходимости проведения формовки и в кратном снижении среднеквадратичного отклонения величин напряжений переключения из высокоомного состояния (USET) в низкоомное состояние (URESET) и наоборот, а также сопротивлений, соответствующих низкоомному (RON) и высокоомному (ROFF) состояниям. 4 з.п. ф-лы, 6 ил, 4 пр.
Способ изготовления активного слоя для универсальной памяти на основе резистивного эффекта // 2611580
Способ относится к вычислительной технике - к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключенном питании. Способ изготовления активного слоя для универсальной памяти на основе резистивного эффекта включает осаждение на подложку слоя диэлектрика - окиси гафния. При осаждении получают окись гафния нестехиометрического состава - HfOx, содержащую вакансии кислорода. Осаждение проводят ионно-лучевым распылением-осаждением Hf мишени в кислородсодержащей атмосфере. При этом задают стехиометрический состав х с х<2 парциальным давлением кислорода. Давление выбирают величиной от 2×10-4 Па до 1×10-2 Па, включая указанные значения. В результате обеспечивается появление на вольт-амперной характеристике резистивного элемента окна гистерезиса, получение обратимого резистивного переключения без осуществления процесса формовки, и предотвращение возможного выхода из строя элемента памяти на подготовительном к работе этапе. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
