Патенты автора Аксенов Максим Сергеевич (RU)
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при их изготовлении на основе МДП-структур на InAs. Подложку InAs подвергают предварительной обработке, включающей очистку поверхности ее от загрязнений и естественного окисла. После чего на подложке в вакуумной камере проводят формирование диэлектрического слоя посредством анодного окисления подложки - анодирование рабочей поверхности подложки в плазме. По завершении анодирования на диэлектрический слой напыляют слой металла. Предварительную обработку проводят при условиях, обеспечивающих полную очистку поверхности от загрязнений и естественного окисла с достижением стабильности и инертности рабочей поверхности в условиях отсутствия воздействия окислительной среды, плазмы. Анодирование осуществляют с использованием окислительной газовой среды с составом Ar:O2:CF4 в соотношении (80-х)% : 20% : x%, где х - количество CF4, равное от 5% до 20%. В качестве плазмы используют плазму таунсендовского разряда в нормальном и переходном режиме его горения. При этом подложку помещают на расстоянии от катода, выбираемом с учетом соблюдения условия стационарности газоразрядной плазмы. Давление окислительной газовой среды поддерживают обеспечивающим стабильное горение разряда с формированием в разрядном промежутке латерально однородного разряда. В результате обеспечивается снижение величины встроенного заряда до значений менее 5×1011 см-2, улучшается однородность по толщине и химическому составу диэлектрического слоя на большей площади исходной пластины. 12 з.п. ф-лы, 4 ил.
