Патенты автора Труфанов Алексей Николаевич (RU)
Комплексные соединения тербия с органическими лигандами в качестве сцинтилляционных материалов // 2767899
Изобретение относится к применению комплексных соединений тербия с органическими лигандами, такими как ацетилацетон (а), пиразолон (b), пиразолон-трифенилфосфиноксид (с), формул
где асас - ацетилацетон (a), pmip - трис-(1-фенил-3-метил-4-изобутирил-5-пиразолон) (b), ТРРО - трифенилфосфиноксид (с), в качестве сцинтилляционных материалов для дозиметров и детекторов ионизирующего излучения. Интенсивность рентгенолюминесценции комплексов (а), (b) и (с) превышает интенсивность рентгенолюминесценции лучшего сцинтиллятора CaI2:Eu2+. Высокая сцинтилляционная активность комплексных соединений (а), (b) и (с) позволяет использовать их в качестве сцинтилляционных материалов в дозиметрах и детекторах ионизирующего излучения. 1 ил., 1 табл.
Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при создании радиационно-стойких оптоэлектронных устройств. Технический результат - создание диодных оптоэлектронных пар с предельными уровнями стойкости к воздействию гамма-нейтронного облучения, соответствующими требованиям к радиационно-стойким устройствам систем управления и связи достигается тем, что кристаллы источника излучения выполняют на основе двойных гетероэпитаксиальных структур арсенида галлия - алюминия, кристаллы приемника излучения выполняют на основе структур «кремний на сапфире», а в качестве иммерсионной оптической среды используют оптически прозрачный компаунд, при этом источник и приемник оптического излучения согласуют по параметрам путем выбора конструктивного исполнения кристаллов, подбирая рабочую длину волны таким образом, что источник имеет максимальную мощность оптического излучения, а приемник - максимальную величину токовой чувствительности, кроме того, кристаллы источника и приемника излучения монтируют в корпус друг над другом с зазором, сопоставимым с толщиной кристаллов. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к применению люминесцентных комплексных соединений редкоземельных металлов в качестве радиационно-стойких люминесцентных материалов. Описываются комплексные соединения редкоземельных металлов: La, Се, Nd, Sm, Eu, Tb, Yb с органическими лигандами, такими как бензоксазолил-фенол (а), бензотиазолил-фенол (b), бензоксазолил-нафтол (с), бензотиазолил-нафтол (d), пентафторфенол (е), 1-трифторметил-3-тионил-1,3-дикетон (f) и меркаптобензотиазол (g), функционирующие в условиях воздействия импульсного и стационарного ионизирующего гамма-нейтронного излучения. Полная поглощенная доза радиации указанных соединений варьируется в диапазоне 2.6⋅4Ус-0.6⋅5Ус при флюенсе нейтронов в диапазоне 4Ус-2.2⋅5Ус. Полученный на основе указанных соединений люминесцентный материал для оптоэлектронных изделий обладает эффективной люминесценцией в инфракрасной и видимой области спектра до и после воздействия высокой интенсивности гамма-нейтронного излучения спектра деления. 3 ил.
СПОСОБ И СИСТЕМА ИНИЦИИРОВАНИЯ ЗАРЯДОВ // 2684259
Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в технических средствах инициирования, в частности в бортовой аппаратуре, для обеспечения безопасности функционирования систем автоматики в условиях воздействия электромагнитного излучения различной природы. В систему инициирования зарядов, включающую блок управления лазером, лазер и блок инициирования, соединенные волоконно-оптической линией связи, введен оптический затвор, состоящий из соединенных между собой и помещенных в единый корпус волоконно-оптического переключателя, фотопреобразователя и схемы запуска таким образом, что волоконно-оптический переключатель соединен с фотопреобразователем волоконно-оптической линией связи, а фотопреобразователь электрически соединен через схему запуска с волоконно-оптическим переключателем, кроме того, лазер посредством волоконно-оптической линии связи соединен с волоконно-оптическим переключателем, который посредством волоконно-оптической линии связи соединен с блоком инициирования. В способе инициирования зарядов, включающем монтаж оптоволоконной линии, связывающей лазер и инициируемые заряды, и управление исполнительным световым сигналом лазера, в оптоволоконную линию монтируют оптический затвор, включающий волоконно-оптический переключатель, фотопреобразователь и схему запуска, управляющий световой сигнал лазера подают на волоконно-оптический переключатель, затем на фотопреобразователь, где преобразуют в электрический импульс, посредством которого замыкают оптоволоконную линию, после чего исполнительный световой сигнал лазера подают на инициируемые заряды. Техническим результатом предлагаемого изобретения является повышение надежности работы системы инициирования: исключение несанкционированного запуска системы инициирования при воздействии электромагнитного излучения различной природы. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники, в частности к способам изготовления структур фотоэлектрических приемных устройств (ФПУ), предназначенных для преобразования светового излучения определенного спектрального диапазона в электрический сигнал. В способе изготовления фотоприемного устройства (ФПУ) путем формирования на подложке топологического рисунка фоточувствительных элементов, областей анода и катода, создания металлизации и пассивирующего покрытия и контактных площадок, резки и сборки кристалла ФПУ в корпусе, для обеспечения стойкости ФПУ к дозовым эффектам и переходным процессам ионизирующего излучения в качестве материала подложки используют гетероэпитаксиальные структуры (ГЭС) технологии «кремний-на-сапфире» (КНС) с толщиной эпитаксиального слоя кремния 5 мкм, проводимостью n-типа с удельным сопротивлением от 4,5 Ом⋅см до 10 Ом⋅см и концентрацией основной примеси не менее 1015см-3. В фотоприемном устройстве, образованном электрическим последовательным, параллельным или последовательно-параллельным соединением элементарных диодов, для обеспечения стойкости к переходным процессам от воздействия импульсного ионизирующего излучения топологические слои сформированы на ГЭС технологии КНС с толщиной эпитаксиального слоя кремния 5 мкм, проводимостью n-типа с удельным сопротивлением от 4,5 Ом⋅см до 10 Ом⋅см, с концентрацией основной примеси не менее 1015см-3 и нанесенным на инверсную сторону ГЭС слоем поликристаллического кремния, а структуры элементарных диодов сформированы в порядке чередования снизу вверх топологических слоев: «активная область», «n-карман», «анод», «катод», «металл», «пассивация». Технический результат - разработка способа изготовления радиационно стойкого приемника оптического излучения (фотоприемного устройства или детектора) на кремниевых диодных структурах технологии «кремний-на-сапфире» (КНС) и его реализация. 2 н. и 34 з.п. ф-лы, 15 табл., 33 ил.
