Патенты автора Малеев Николай Анатольевич (RU)
Изобретение относится к технике полупроводников. Полупроводниковый вертикально-излучающий лазер с внутрирезонаторными контактами содержит полуизолирующую подложку (1) из GaAs, нижний нелегированный РБО (2), внутрирезонаторный контактный слой (3) n-типа, композиционную решетку (5) n-типа, оптический резонатор (6), содержащий активную область (7) на основе по меньшей мере трех слоев In(Al)GaAs квантовых ям (8), композиционную решетку (9) p-типа, содержащую по меньшей мере одну оксидную токовую апертуру (10), внутрирезонаторный контактный слой (11) p-типа, сильнолегированный фазокорректирующий контактный слой (12) p-типа и верхний диэлектрический РБО (14) на основе SiO2/Ta2O5. Технический результат заключается в снижении электрического сопротивления и порогового тока при повышении дифференциальной эффективности. 13 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к технике полупроводников. Способ изготовления вертикально-излучающего лазера с внутрирезонаторными контактами и диэлектрическим зеркалом включает последовательное эпитаксиальное выращивание на полуизолирующей подложке из GaAs полупроводниковой гетероструктуры, содержащей нижний нелегированный распределенный брэгговский отражатель (РБО), внутрирезонаторный контактный слой n-типа, оптический резонатор с активной областью и апертурным слоем из AlxGa1-xAs р-типа, где 0,97≤х<1, внутрирезонаторный контактный слой р-типа, формирование электрического контакта р-типа; формирование оксидной токовой апертуры в апертурном слое, формирование электрического контакта n-типа и формирование верхнего диэлектрического РБО, формирование пассивирующего и планаризующего слоя с низкой диэлектрической проницаемостью и формирование металлизации контактных площадок р- и n-типа. На внутрирезонаторном контактном слое р-типа последовательно выращивают стоп-слой из AlyGa1-yAs р-типа, где 0,85≤у≤0,95, и сильнолегированный контактный слой из GaAs р-типа, электрический контакт р-типа формируют на сильнолегированном контактном слое р-типа, удаляют химическим травлением через маску сильнолегированный контактный слой р-типа и стоп-слой р-типа в светоизлучающей области до поверхности внутрирезонаторного контактного слоя р-типа, на котором затем формируют верхний диэлектрический РБО. Технический результат заключается в том, что изготовленные настоящим способом лазеры имеют низкий пороговый ток, малое последовательное сопротивление и высокую дифференциальную эффективность. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к электронной технике. Длинноволновый вертикально-излучающий лазер включает полуизолирующую подложку из GaAs, нижний нелегированный распределенный брэгговский отражатель (РБО), внутрирезонаторный контактный слой n-типа, композиционную решетку n-типа, содержащую по меньшей мере одну оксидную оптическую апертуру. Также лазер содержит нелегированный оптический резонатор, содержащий активную среду на основе по меньшей мере трех рядов квантовых точек InAs/InGaAs, композиционную решетку p-типа, содержащую по меньшей мере одну оксидную токовую апертуру, внутрирезонаторный контактный слой p-типа, контактный слой p-типа с модовой селекцией и верхний диэлектрический РБО. Технический результат заключается в снижении порогового тока и электрического сопротивления и в обеспечении работы в режиме одномодовой генерации в спектральном диапазоне 1,3 мкм. 17 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение может быть использовано для создания полупроводниковых вертикально-излучающих лазеров, работающих в ближнем ИК-диапазоне. Полупроводниковый вертикально-излучающий лазер с внутрирезонаторными контактами содержит полуизолирующую подложку (1) из GaAs, буферный слой (2) из GaAs, нижний нелегированный РБО (3), контактный слой (4) n-типа, электрический контакт (5) n-типа, композиционную решетку (6) n-типа, нелегированный оптический резонатор (7), содержащий активную среду на основе по меньшей мере трех слоев (8) квантовых ям, композиционную решетку (9) p-типа, содержащую по меньшей мере одну оксидную токовую апертуру (10), контактный слой (11) p-типа, фазокорректирующий контактный слой (12) p-типа, электрический контакт p-типа (13) и верхний диэлектрический РБО (14). Лазер согласно изобретению имеет низкий пороговый ток, высокую дифференциальную эффективность и малое электрическое сопротивление при малых латеральных размерах токовой апертуры (менее 10 мкм). 14 з.п. ф-лы, 3 пр., 6 ил.
