Патенты автора Корячко Марина Валерьевна (RU)

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов, и может быть использовано для активизации процессов диффузии фосфора в легированный бором кремний при формировании p-n-переходов. Способ легирования полупроводникового кремния фосфором осуществляют следующим образом. Сначала выдерживают в постоянном магнитном поле. Для улучшения химической очистки кремниевые пластины дополнительно обрабатывают в растворе плавиковой кислоты (HF), затем промывают путем кипячения в аммиачно-перекисном растворе, затем в ванне с деионизованной водой и сушат в центрифуге, загружают кремниевые пластины в диффузионную печь предварительно разогретую до температуры T1=950°C. После этого в течение тридцати минут (t1=30 min) осуществляют диффузионный отжиг в атмосфере кислорода (O2) при линейно возрастающей температуре диффузионной печи до T2=1200°C. Проводят изотермический отжиг в два этапа в течение тридцати-пятидесяти минут (t2=30-50 min), половину этого времени в атмосфере двуокиси фосфора и азота (P2O5+N2), а вторую - в атмосфере кислорода (O2). После изотермического отжига в течение тридцати минут снижают температуру диффузионной печи до температуры T1. Легирование кремниевых пластин в диффузионной печи осуществляют при расходе: кислорода (O2), подаваемого в кварцевую камеру не более 45 л/ч, азота не более 650 л/ч. При этом глубина залегания p-n перехода увеличивается до 15-19,3 мкм. 5 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.

 


Наверх