Патенты автора Морозов Иван Александрович (RU)
Изобретение относится к металлургии редких металлов и может быть использовано для получения металлического скандия высокой чистоты. Способ включает восстановление в две стадии хлорида скандия металлическим натрием в присутствии флюса - хлорида калия при нагреве. Восстановление осуществляют в танталовом тигле. Первую стадию восстановления проводят металлическим натрием, взятым в количестве 5-7% от общей массы натрия, при нагревании до температуры 400°С в вакууме 1⋅10-2 мм рт.ст. и выдержке при этой температуре в течение 30-60 мин. Вторую стадию проводят при нагревании до температуры 900-1100°С в аргоне. Затем на поверхность полученного расплава подают остальное количество расплавленного металлического натрия с избытком 10-20% от стехиометрии. После подачи всего количества натрия реакционную массу выдерживают при температуре 900-1100°С в течение 1-2 ч с последующим удалением паров избыточного натрия в вакууме с получением металлической скандиевой губки в расплаве солей. Пары избыточного натрия удаляют, сливают и отгоняют из тигля соли хлорида натрия и хлорида калия и проводят вакуумную дистилляцию металлической скандиевой губки непосредственно в танталовом тигле. Способ обеспечивает получение металлического скандия с требуемыми характеристиками химической чистоты от 99,990 до 99,999 мас.%. 4 з.п. ф-лы, 2 табл., 2 пр.
Изобретение относится к области металлургии, а именно к изготовлению фольги из бериллия, которая используется в различных отраслях техники. Способ получения тонкой вакуумноплотной бериллиевой фольги включает заключение заготовки бериллия в металлический чехол, его герметизацию, нагрев до температуры прокатки, многопроходную прокатку заготовки бериллия в металлическом чехле с промежуточными выдержками, охлаждение и удаление чехла. В качестве заготовки бериллия используют дистиллированный бериллий, а в качестве материала чехла используют пластины из нержавеющей стали, при этом заготовку бериллия в чехле нагревают до температуры прокатки 450-550°С и осуществляют многопроходную прокатку с относительным обжатием от 1 до 7% за проход. После каждого прохода проводят промежуточные выдержки в течение 1-15 минут и изменяют направление прокатки на 180° после каждого прохода до достижения суммарной степени деформации 60%. Полученная фольга имеет высокую химическую чистоту, вакуумную плотность и прозрачность для рентгеновского излучения. 4 з.п. ф-лы, 1 табл., 3 пр.
Изобретение относится к области металлургии, а именно к изготовлению фольги из бериллия, которая может быть использована в различных отраслях техники. Способ получения вакуумноплотной фольги из бериллия включает заключение заготовки бериллия в металлический чехол, его герметизацию, нагрев до температуры прокатки, многопроходную прокатку заготовки бериллия в металлическом чехле с промежуточными выдержками и подогревами, охлаждение, удаление чехла и шлифование поверхности полученной фольги. В качестве заготовки бериллия используют дистиллированный бериллий, заготовку бериллия в металлическом чехле нагревают до температуры 910-950°С и осуществляют многопроходную прокатку с относительным обжатием от 1 до 10% за проход, причем после каждого прохода проводят промежуточные выдержки в течение 3-5 мин и изменяют направление прокатки сначала на 90° до достижения суммарной степени деформации 60%, а затем - на 180° до достижения суммарной степени деформации 97%. Получают вакуумноплотную фольгу из бериллия толщиной от 300 мкм до 100 мкм и площадью до 600 см2, при этом не изменяется химический состав бериллия в сравнении с исходной заготовкой, в фольге обеспечиваются требуемые характеристики рентгеновской прозрачности и вакуумной плотности. 3 з.п. ф-лы, 1 табл., 5 пр.
Изобретение относится к изготовлению солнечных элементов и может быть использовано в фотоэнергетике, преимущественно в солнечных элементах или фотоэлектрических преобразователях (ФЭП) при преобразовании солнечного излучения. Способ изготовления периодической вертикально-ориентированной столбчатой структуры ФЭП включает формирование на поверхности кристаллического кремния рельефа из периодической вертикально-ориентированной столбчатой структуры с волокнами диаметром 0,1-2,5 мкм и высотой 0,5-10 мкм, находящимися на расстоянии друг от друга не меньшем, чем две суммарные толщины всех последующих осажденных на волокна слоев. Формирование вертикально-ориентированной столбчатой структуры производится методом сухого плазмохимического травления с использованием полистирольных сфер в качестве маски с последующей химической обработкой поверхности для удаления поврежденного слоя кремния толщиной 5-50 нм. Далее на волокна последовательно осаждаются полупроводниковые слои твердых растворов на основе соединений А3В5 или a-SiC:H для формирования нижнего перехода на основе кристаллического кремния и формирования одного или нескольких верхних p-n или p-i-n переходов фотоэлектрического преобразователя. В результате при освещении такой конструкции со стороны волокон свет проходит значительно большее расстояние и поглощается в полупроводниковых слоях верхнего перехода или переходов в значительно большей степени, чем в случае с плоской (планарной) конструкцией. Конструкция может быть изготовлена с использованием, как кремниевых пластин, так и слоев кристаллического кремния толщиной 2-20 мкм, сформированных на несущей подложке, в том числе гибкой. Изобретение обеспечивает возможность увеличения тока короткого замыкания верхнего каскада ФЭП, и как следствие, повышение КПД всего ФЭП. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к области полупроводниковой опто- и микроэлектроники и может быть использовано при создании приборов на основе полупроводниковых гетероструктур, в том числе многопереходных фотоэлектрических преобразователей. Задачей, решаемой настоящим изобретением, является снижение диффузии атомов III и V группы в кремний при формировании полупроводниковых слоев фосфида галлия (GaP) и азотсодержащих твердых растворов на его основе (GaPN) за счет снижения температуры процесса осаждения. Техническим результатом является формирование на поверхности кремния с помощью предлагаемого метода слоев фосфида галлия и его твердых растворов (GaPN) с шероховатостью, не превосходящей 1 нм, и уменьшение концентрации дефектов в кремниевой подложке в приповерхностной области вблизи границы раздела GaP/Si. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.
Универсальный мишенно-тренировочный комплекс // 2612336
Изобретение относится к проверке и испытаниям радиолокационных средств систем противовоздушной обороны ближнего действия, малой и средней дальности. Универсальный мишенно-тренировочный комплекс содержит транспортное средство, в котором размещены мишени в виде БЛА разного типа, имитирующие цели разных видов с унифицированным средством для запуска. Пункт управления выполнен с возможностью одновременного управления несколькими БЛА разных типов и подключен к удаленному монитору для отображения информации о ходе полетов в режиме реального времени. В транспортном средстве размещены БЛА с поршневым двигателем внутреннего сгорания, БЛА с турбореактивным двигателем, БЛА вертолетного типа. Комплекс может комплектоваться не менее 6 БЛА разных типов. Достигается расширение области применения за счет создания мишенной обстановки с применением нескольких БЛА разного типа. 4 з.п. ф-лы.
