Патенты автора КАДОГУТИ Такуя (JP)
Способ изготовления полупроводникового устройства (50), которое содержит первый элемент (10) и второй элемент (20), присоединяемый к первому элементу, содержит: a) образование (Cu,Ni)6Sn5 на Ni пленке (12), сформированной на первом элементе путем плавления первого припоя Sn-Cu (14), содержащего 0,9 вес. % или более Cu, на Ni пленке первого элемента; b) образование (Cu,Ni)6Sn5 на Ni пленке (22), сформированной на втором элементе путем плавления второго припоя Sn-Cu (24), содержащего 0,9 вес. % или более Cu, на Ni пленке второго элемента; а также c) соединение первого элемента и второго элемента друг с другом за счет расплавления первого припоя Sn-Cu, выполненного на этапе a), и второго припоя Sn-Cu, выполненного на этапе b), таким образом, что первый припой Sn-Cu и второй припой Sn-Cu соединяются в один. Изобретение обеспечивает получение заданного количества (Cu,Ni)6Sn5 на Ni пленке каждого из соединяемых элементов. 3 з.п. ф-лы, 22 ил.
Полупроводниковое устройство (2) содержит первый и второй полупроводниковые элементы (3, 5) и первый и второй токопроводящие элементы (10, 29). Первый электрод (3а) на первом полупроводниковом элементе крепится к первому столбиковому элементу (12) первого токопроводящего элемента посредством первого связующего слоя (8а). Второй электрод (5b) на втором полупроводниковом элементе крепится к второму столбиковому элементу (25) второго токопроводящего элемента посредством второго связующего слоя (8f). Первый соединяющий элемент (13) первого токопроводящего элемента крепится к второму соединяющему элементу (26) второго токопроводящего элемента посредством промежуточного связующего слоя (8g). Первая поверхность первого соединяющего элемента, обращенная к второму соединяющему элементу, боковая поверхность первого соединяющего элемента, являющаяся продолжением упомянутой первой поверхности, вторая поверхность второго соединяющего элемента, обращенная к первому соединяющему элементу, и боковая поверхность второго соединяющего элемента, являющаяся продолжением упомянутой второй поверхности, покрыты слоями (19а, 19b) никеля. Изобретение обеспечивает полупроводниковое устройство и способ его изготовления, позволяющие ограничить развитие влияния явления электропереноса в промежуточном связующем слое, который скрепляет друг с другом первый и второй соединяющие элементы. 4 н. и 4 з.п. ф-лы, 19 ил.
