Патенты автора Торопов Александр Иванович (RU)
Гетероэпитаксиальная структура относится к полупроводниковым приборам. На подложке выполнены слои, в составе которых сформирован канальный слой узкозонного полупроводника. С обеих сторон канального слоя, в направлениях к подложке и от подложки, расположены последовательно слой нелегированного широкозонного полупроводника, слой легированного широкозонного полупроводника, сформированный как дельта-слой в матрице полупроводника δ-легированием, разделяющий барьерный слой нелегированного широкозонного полупроводника, слой легированного широкозонного полупроводника, сформированный как дельта-слой в матрице полупроводника δ-легированием, слой широкозонного полупроводника в составе двух нелегированных слоев, между которыми расположен легированный слой, причем легированный примесью, обеспечивающей иной тип проводимости по сравнению с проводимостью слоя легированного широкозонного проводника, сформированного как дельта-слой в матрице полупроводника δ-легированием. Ближайшие к канальному слою дельта-слои легированы со слоевой концентрацией примеси, равной половине величины концентрации двумерного газа носителей заряда, образующегося при переходе в канальный слой носителей заряда с примеси дельта-слоев. Удаленный от канального слоя дельта-слой, выполненный в направлении к подложке, легирован со слоевой концентрацией примеси, равной по величине произведению величин толщины и концентрации примеси расположенного между двух нелегированных слоев легированного слоя примесью, обеспечивающей иной тип проводимости по сравнению с проводимостью слоя легированного широкозонного проводника, сформированного как дельта-слой в матрице полупроводника δ-легированием, которые сформированы в составе слоя широкозонного полупроводника, расположенного в направлении к подложке. Удаленный от канального слоя дельта-слой, выполненный в направлении от подложки, легирован со слоевой концентрацией примеси, равной по величине произведению величин толщины и концентрации примеси расположенного между двух нелегированных слоев легированного слоя примесью, обеспечивающей иной тип проводимости по сравнению с проводимостью слоя легированного широкозонного проводника, сформированного как дельта-слой в матрице полупроводника δ-легированием, которые сформированы в составе слоя широкозонного полупроводника, расположенного в направлении от подложки. Технический результат - повышение подвижности в двумерном газе носителей заряда при сохранении их концентрации 4×1012 см-2. 19 з.п. ф-лы, 4 ил.
Способ относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В способе подготовки поверхности InSb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией проводят предварительную обработку поверхности подложки InSb с модификацией состава остаточного оксидного слоя. Модификацию состава остаточного оксидного слоя на поверхности подложки осуществляют с получением гидратированного аморфного оксидного слоя из оксидных соединений индия и сурьмы, характеризующегося нестехиометрическим составом - обогащенного гидратированными оксидными соединениями индия. При этом сначала проводят анодное окисление подложки с остаточным оксидным слоем в водосодержащей щелочной среде, а затем удаляют в водосодержащей кислотной среде полученный в ходе окисления оксидный слой. В финале проводят удаление подвергшегося модификации остаточного оксидного слоя в вакуумной камере установки молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием термообработки подложки. В результате обеспечивается снижение температуры, при которой происходит полное удаление оксидного слоя в ростовой камере молекулярно-лучевой эпитаксии, до величины менее 400°С. 6 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов - для изготовления фокальных диодных фотоприемных матриц на подложках InSb. В способе подготовки поверхности InSb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией сначала проводят предварительную обработку поверхности подложки InSb с модификацией состава окисного слоя для обеспечения в дальнейшем полного удаления окислов. Модификацию состава окисного слоя осуществляют, подвергая подложку воздействию жидкой среды с рН менее двух. За счет этого растворяют в большей степени окислы индия и обогащают поверхность легколетучими окислами сурьмы. После модификации окисного слоя остаточный окисный слой удаляют в вакуумной камере установки молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием термообработки и подачи к поверхности подложки потока сурьмы. В результате обеспечивается соблюдение вакуумной гигиены при выращивании слоев структур, предотвращается возможность загрязнения поверхности подложек InSb, достигается снижение шероховатости, возникающей при подготовке поверхности подложек, обеспечивается требуемая гладкость. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.
