Патенты автора Дьячков Алексей Борисович (RU)

Изобретение относится к способу изготовления полупроводниковых бета-вольтаических преобразователей на основе радионуклида никель-63 для использования в автономных источниках электрического питания. Способ изготовления полупроводниковых бета-вольтаических ячеек на основе радионуклида никель-63, заключающийся в нагревании металлического никеля, содержащего радионуклид 63Ni, до температуры его испарения в вакуумной камере, трехступенчатой селективной фотоионизации атомов целевого изотопа 63Ni путем одновременного импульсного облучения атомов пространственно совмещенными лазерными пучками с длиной волны с последующим осаждением фотоионов 63Ni электрическим полем на поверхность полупроводникового чипа, при этом полупроводниковый чип закрепляют в вакуумной камере на поверхности прогреваемого коллектора и нагревают до температуры 800÷1500 К, при этом увеличивая плотность пленки металлического никеля за счет кристаллизации 63Ni, с последующим охлаждением коллектора с чипом до комнатной температуры в вакууме. Изобретение позволяет получать готовые бета-вольтаические чипы с фиксированным на момент изготовления изотопным обогащением в одном устройстве и в едином замкнутом процессе. 3 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к способу выделения изотопа 63Ni из облученной металлической мишени для использования в автономных источниках питания, например, основанных на бетавольтаическом эффекте. Способ включает нагревание металлического никеля, содержащего радионуклид 63Ni до температуры его испарения в вакуумной камере, трехступенчатую селективную фотоионизацию атомов целевого изотопа Ni путем одновременного импульсного облучения атомов пространственно совмещенными лазерными пучками с длиной волны , и с последующим выделением фотоионов 63Ni электрическим полем. Способ осуществляют при частоте повторения импульсов лазерных пучков 5-20 кГц при длительности импульса 20-100 нс, а среднюю плотность мощности лазерного излучения первой ступени выбирают в диапазоне 40÷100 мВт/см2, второй ступени - 5÷40 мВт/см2, третьей ступени - 3÷5 Вт/с2 при частоте повторения импульсов лазерных пучков 10 кГц при длительности импульса 20 нс. Техническим результатом является возможность осуществления технологического процесса, позволяющего в промышленных масштабах осуществлять одновременное выделение высокообогащенного радионуклида 63Ni и нанесение его на подложки. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

 


Наверх