Патенты автора ТОРРЕГРОСА Франк (FR)
Изобретение относится к способу управления устройством для ионной имплантации, содержащим источник (АР) питания плазмы и источник (PS) питания подложки, причем источник питания подложки содержит: электрогенератор (НТ) с заземленным положительным полюсом; первый переключатель (SW1), первый полюс которого соединен с отрицательным полюсом указанного генератора (НТ), и второй полюс которого соединен с выходным разъемом (S) указанного источника питания подложки; и второй переключатель (SW2), первый полюс которого соединен с указанным выходным разъемом (S), а второй полюс которого соединен с нейтрализующим разъемом (N). Способ включает стадию (A-D) имплантации и стадию (Е-Н) нейтрализации. Способ дополнительно включает стадию (C-F) релаксации, когда источник (АР) питания плазмы отключен. Кроме того, стадия нейтрализации включает предварительный этап (E-F) замыкания второго переключателя (SW2), после предварительного этапа следует отменяющий этап (F-G) для приведения в действие источника (АР) питания плазмы. Технический результат - облегчение нейтрализации положительных зарядов и стабилизация параметров имплантации. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к управляющему модулю для устройства ионной имплантации, имеющему источник питания, содержащий: электрогенератор (НТ) с заземленным положительным полюсом; первый переключатель (SW1), первый полюс которого соединен с отрицательным полюсом указанного генератора (НТ) и второй полюс которого соединен с выходным разъемом (S) источника питания; и второй переключатель (SW2), первый полюс которого соединен с указанным выходным разъемом (S) и второй полюс которого соединен с нейтрализующим разъемом (N). Управляющий модуль также содержит токоизмерительную цепь (AMP) для измерения тока смещения, протекающего между вторым полюсом указанного второго переключателя (SW2) и указанным нейтрализующим разъемом (N). Технический результат - повышение точности определения дозы имплантируемых атомов. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к области ионной имплантации с применением плазмы. Устройство для ионной имплантации содержит корпус, соединенный с насосным устройством; отрицательно поляризованный НТ держатель подложки PPS, размещенный в указанном корпусе; и плазмоподающее устройство АР, выполненное в форме цилиндрического тела, проходящего между начальным участком и замыкающим участком. Устройство содержит также главную камеру PR, снабженную ионизационной ячейкой ВС1, ANT1, причем главная камера PR снабжена газоподводящим отверстием, а конечный участок главной камеры снабжен средствами уменьшения напора для создания перепада давления относительно указанного тела. Кроме того, плазмоподающее устройство АР дополнительно содержит вспомогательную камеру AUX, размещенную вне конечного участка, при этом вспомогательная камера сообщается с корпусом ENV на замыкающем участке. Технический результат- повышение качества имплантации. 13 з.п. ф-лы, 4 ил.
