Патенты автора ЧУНГ Теодор (NL)
Способ изготовления эпитаксиальной структуры включает в себя обеспечение подложки и гетеропереходного пакета на первой стороне подложки и формирование пакета светоизлучающего диода на GaN на второй стороне подложки. Гетеропереходный пакет включает в себя нелегированный слой нитрида галлия (GaN) и легированный слой нитрида алюминия-галлия (AlGaN) на нелегированном слое GaN. Пакет светоизлучающего диода на GaN включает в себя слой GaN n-типа поверх подложки, структуру на GaN/нитриде индия-галлия (InGaN) с множественными квантовыми ямами (МКЯ) поверх слоя GaN n-типа, слой AlGaN p-типа поверх структуры на GaN/InGaN n-типа с МКЯ и слой GaN p-типа поверх слоя AlGaN p-типа. Гетеропереходный пакет содержит один или более приборов, связанных с пакетом светоизлучающего диода, причем эти один или более приборов включают в себя один или более из полевого транзистора на гетеропереходе (HTEF) AlGaN/GaN и диода Шоттки на AlGaN/GaN, при этом по меньшей мере один из этих приборов соединен с пакетом светоизлучающего диода на GaN. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 7 ил.
