Патенты автора Сироткин Вадим Леонидович (RU)
Изобретение относится к электротехнике, к магнитным бесконтактным планетарным редукторам для привода исполнительных механизмов и устройств с одновременной редукцией частоты вращения. Технический результат состоит в уменьшении аксиальных размеров. Магнитный планетарный редуктор, встраиваемый в электродвигатель, содержит корпус, неподвижные и подвижные зубчатые центральные колеса из магнитомягких материалов, водило, эксцентрично расположенный зубчатый сателлит из магнитомягкого материала, подшипники, опорные поверхности, на которые опираются сателлит, зубчатые поверхности центральных колес и сателлита выполнены с одинаковым шагом, разница числа зубьев сателлита и числа зубьев центральных колес минимальна. Система подмагничивания выполнена в виде постоянного магнита или обмотки возбуждения с осевым подмагничиванием. Центральные колеса выполнены с двумя зубчатыми венцами с наружными зубьями, равными количествам зубьев заодно с выходным валом, которые установлены в корпусе с возможностью совершать вращательное перемещение. Опорные поверхности размещены на центральном колесе, ответные опорные поверхности выполнены на сателлите. Сателлит выполнен с двумя зубчатыми венцами внутренними зубьями с равными количествами зубьев с минимальной разницей числа зубьев от числа зубьев на центральных колесах, размещен в корпусе с возможностью совершать плоскопараллельное перемещение оси относительно центральных колес без вращения относительно собственной симметрии. 1 ил.
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ИЗНОСОСТОЙКОГО ПОКРЫТИЯ // 2617189
Изобретение относится к ионно-плазменному способу нанесения износостойких покрытий на поверхности изделий из металлов и других материалов. Способ нанесения износостойкого покрытия на основе нитрида углерода на изделие включает ионно-плазменную очистку и нагрев поверхности изделия до 200-450°C, формирование ионно-плазменным осаждением в атмосфере аргона переходного слоя Ti, формирование ионно-плазменным осаждением в атмосфере азота переходного слоя TiN, ионно-плазменное осаждение алмазоподобной пленки CNx в атмосфере азота импульсным дуговым разрядом в виде кластеров углеродной плазмы плотностью 5⋅1012-1⋅1013 см-3, длительностью импульса 200-600 мкс и частотой следования импульсов 1-5 Гц. В частных случаях осуществления изобретения при формировании промежуточных слоев Ti и TiN осуществляют магнитную сепарацию плазменного потока. Слой алмазоподобной пленки CNx покрытия наносят толщиной 0,2-2,0 мкм. Нанесение слоя алмазоподобной пленки проводят чередованием нанесения алмазоподобного слоя и обработки этого слоя ионами аргона. Во время ионно-плазменной очистки к изделию подводят импульсное отрицательное напряжение. Обеспечивается повышение износостойкости поверхности изделия за счет нанесения покрытия на основе нитрида углерода. 4 з.п. ф-лы, 3 пр.
