Патенты автора Белоусов Дмитрий Андреевич (RU)

Изобретение относится к новой терагерцовой (ТГц) элементной базе для диапазона 0,1-10,0 ТГц на основе оптических галогенидных кристаллических материалов, которая может быть использована для изготовления методом экструзии нового класса гибких нанокристаллических световодов, устойчивых к УФ и радиационному излучениям и предназначенных в качестве канала передачи не только терагерцового излучения, но и инфракрасного, а также для получения методом горячего прессования оптических изделий - окон, линз, призм, пленок, предназначенных, наряду со световодами, для применения в ТГц оптике и фотонике, лазерной и ИК технике, в космических и ядерных технологиях. Согласно изобретению предложена терагерцовая кристаллическая керамика системы TlBr0,46I0,54 - AgI, включающая твердый раствор бромида-йодида одновалентного таллия состава TlBr0,46I0,54 и галогенид серебра, отличающаяся тем, что терагерцовая кристаллическая керамика выполнена на основе твердого раствора TlBr0,46I0,54 и содержит йодид серебра (AgI) в качестве галогенида серебра при следующем соотношении компонентов, мол.%: твердый раствор TlBr0,46I0,54 - 57÷82 и йодид серебра - 43÷18. Изобретение обеспечивает формировать устойчивую к ультрафиолетовому (УФ), видимому, и ионизирующим излучениям пластичную и негигроскопичную ТГц керамику микро- и нанокристаллической структуры. 3 ил, 3 пр.

Изобретение относится к нелинейно-оптическим терагерцовым материалам, а именно к нанокерамике на основе нетоксичных и пластичных галогенидов серебра, прозрачных в терагерцовой, миллиметровой, инфракрасной и видимой области (область спектра от 0,1 до 10,0 ТГц, что соответствует длинам волн от 3000,0 до 30,0 мкм) без окон поглощения и с высокой прозрачностью. Терагерцовая галогенидсеребряная нанокерамика изготовлена на основе системы хлорида серебра и йодида серебра и дополнительно содержит бромид серебра при следующем соотношении ингредиентов, мас.%: система «5,0% AgCl – 95,0% AgI» 60,0 – 65,0; AgBr 40,0 – 35,0. Новая нетоксичная нанокерамика может быть использована при создании терагерцовых томографических и спектрографических приборов, а также приборов для определения наркотических, взрывчатых и различных органических веществ. 3 пр., 1 ил.

Изобретение относится к радиационно стойким оптическим терагерцовым материалам, конкретно к терагерцовой нанокерамике на основе галогенидов серебра и одновалентного таллия, предназначенной для ядерной физики, фотоники, лазерной и ИК волоконной оптики, с выходом в оптическое изделие до 90 %. Нанокерамика выполнена на основе бромида серебра и дополнительно содержит йодид серебра и йодид одновалентного таллия при следующем соотношении ингредиентов, мас.%: бромид серебра 75,0-80,0; йодид серебра 15,0-5,0, йодид одновалентного таллия 10,0-15,0. Основу новой терагерцовой радиационно стойкой нанокерамики составляет бромид серебра кубической модификации, который является матрицей. В решетке AgBr равномерно распределены наночастицы TlI и AgI орторомбической модификации, которые обеспечивают, во-первых, высокую дефектность кристаллической решетки, что значительно уплотняет структуру, а во-вторых, придают устойчивость нанокерамики к радиационному излучению. Нанокерамика прозрачна в терагерцовой области и широком спектральном диапазоне от 0,55 до 60,0 мкм. 3 пр., 1 ил.

Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения, а именно – к технологии получения тонких фоточувствительных пленок селенида свинца, широко используемых в изделиях оптоэлектроники в ИК-диапазоне 1-5 мкм, лазерной и сенсорной технике. Пленки селенида свинца осаждают на подложку из диэлектрических материалов из водных растворов, содержащих соль свинца (II), этилендиамин, ацетат аммония, селеномочевину, при осаждении в раствор дополнительно вводят в качестве антиоксиданта для селеномочевины аскорбиновую кислоту в количестве 0,001-0,01 моль/л, после чего проводят термообработку осажденных пленок на воздухе при 503-583 K. Технический результат изобретения: повышение фоточувствительности пленок селенида свинца к ИК-излучению, а также снижение температуры сенсибилизирующей термообработки на 90-140 K. 1 табл.

 


Наверх