Патенты автора Горохов Сергей Викторович (RU)

Изобретение относится к области изготовления магниторезистивных наноструктур, обладающих гигантским магниторезистивным эффектом, и может быть использовано при разработке датчиков магнитного поля, запоминающих и логических элементов. Технический результат - повышение технологичности изготовления магниторезистивных наноструктур с получением высокого значения коэрцитивной силы магнитожесткого слоя. В способе получения магниторезистивных наноструктур, заключающемся в вакуумном напылении на подложку из монокристаллического кремния с нанесенным на него защитным слоем SiO2 антиферромагнитного слоя, магнитожесткого слоя из сплава NiFeCo, медного слоя и магнитомягкого слоя из сплава NiFeCo, антиферромагнитный и магнитожесткий слои получают за один технологический цикл напыления сплава NiFeCo при температуре подложки не ниже, чем температура окисления сплава на воздухе, и последующем отжиге слоя в вакууме при остаточном давлении (2-4)×10-6 мм рт.ст. при той же температуре не менее одного часа, охлаждении до комнатной температуры и последующем напылении медного слоя и магнитомягкого слоя из сплава NiFeCo, при этом напыление многослойной магниторезистивной наноструктуры проводят при приложении вдоль поверхности подложки магнитного поля напряженностью 160Э и более. 2 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к датчикам для измерения угла поворота бесконтактным способом, и может быть использовано в системах управления подвижными объектами. Магниторезистивный датчик угла поворота содержит тонкопленочный чувствительный элемент, выполненный в виде двух мостов Уинстона, расположенных под углом 45° друг к другу, плечи которых представляют меандры из заостренных магниторезистивных полосок, соединенных по концам проводящими перемычками, и подгоночные сопротивления. Магниторезистивные полоски во всех плечах моста расположены параллельно друг другу и содержат полюса Барбера, расположенные под углом «плюс» 45° относительно длинной стороны полоски в двух противоположных плечах моста и «минус» 45° в двух других противоположных плечах моста. Технический результат - повышение точности измерения угла поворота, помехозащищенности датчика и упрощение процесса балансировки датчика. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области автоматики и магнитометрии и может быть использовано при изготовлении датчиков для определения положения движущихся объектов, магнитометров, электронных компасов для систем навигации и т.д. Технический результат: повышение разрешающей способности за счет повышения стабильности выходного сигнала и повышение технологичности изготовления датчика за счет сокращения числа операций процесса его изготовления. Сущность: способ включает изготовление моста Уинстона путем последовательного вакуумного напыления на подложку слоев FeNi(FeNiCo), Та, FeNi(FeNiCo) и последующего фотолитографического травления, изготовление двух пленочных катушек индуктивности «set/reset» и «offset» путем напыления проводящих слоев и последующего фотолитографического травления, нанесение изоляции между мостом Уинстона и катушками индуктивности, нанесение конструктивной защиты. При изготовлении моста Уинстона на слой Та за один цикл откачки вакуумной камеры напыляют слой Cu, а затем слой FeNi(FeNiCo) с образованием структуры FeNi(FeNiCo)-Ta-Cu-FeNi(FeNiCo), из которой путем фотолитографического травления через совмещенный фотошаблон сначала формируют контур моста Уинстона с рисунком проводящего слоя, включающим полоски, перемычки, проводники и контактные площадки, а затем через другой фотошаблон формируют магниторезистивные полоски и полюса Барбера с образованием топологии моста Уинстона с магниторезистивными полосками из FeNi(FeNiCo)-Ta и полюсами Барбера из Cu-FeNi(FeNiCo). 3 ил.

 


Наверх