Патенты автора БАЙЕР Николя (FR)

Изобретения могут быть использованы для формирователя сигналов изображения в инфракрасной области спектра. Гетероструктурный диод с p-n-переходом содержит подложку на основе HgCdTe, главным образом n-легированную, причем упомянутая подложка содержит первую часть (4), имеющую первую концентрацию кадмия, вторую часть (11), имеющую вторую концентрацию кадмия больше, чем первая концентрация кадмия, причем вторая часть(11) образует гетероструктуру с первой частью (4), р+-легированную зону (9) или р-легированную зону, расположенную в концентрированной части (11) и продолжающуюся в первую часть (4) и образующую p-n-переход (10) с n-легированным участком первой части (4), называемым базовой подложкой (1), при этом концентрированная часть (11) расположена только в р+-легированной зоне (9) и образует карман (12) по существу с постоянной концентрацией кадмия. Изобретения предназначены для создания качественной гетероструктуры при низкой стоимости для облегчения регулировки относительного положения p-n-перехода по отношению к гетеропереходу и повышения воспроизводимости и повторяемости этого относительного положения от одной подложки к другой подложке и от одного диода к другому диоду на той же подложке. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 6 ил.

 


Наверх