Патенты автора Слаповский Дмитрий Николаевич (RU)
Способ изготовления омических контактов // 2669339
Изобретение относится к технологии формирования омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности полевых транзисторов СВЧ диапазона. Техническим результатом изобретения является уменьшение удельного сопротивления омических контактов. Технический результат достигается за счет того, что после роста высоколегированного полупроводникового материала (n+GaN), который контактирует с двумерным электронным газом гетероструктуры AlGaN/GaN, и снятия диэлектрической маски, осуществляется высокотемпературный отжиг гетероструктуры с дорощенным высоколегированным полупроводниковым материалом при температуре 600-650°C в течение 10-15 минут в среде азота. 1 ил.
Изобретение относится к способу формирования омических контактов к нитридным гетероструктурам по технологии вжигаемых омических контактов и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов с высокой степенью интеграции. Омический контакт формируют путем последовательного напыления в вакууме четырех слоев: кремний (Si), алюминий (Al), никель (Ni) и золото (Au), с использованием фоторезистивной маски на участок поверхности нитридной гетероструктуры с последующим статическим отжигом на графитовом столике в среде азота. Использование подслоя кремния обеспечивает при термической обработке за счет диффузии легирование подконтактной области, формируя высоколегированный полупроводник и изменяя работу выхода из него, обеспечивая формирование невыпрямляющего контакта алюминия с высоколегированной областью под контактом. Изобретение обеспечивает снижение температуры отжига, что обеспечивает улучшение морфологии омических контактов и повышение их технологичности. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
