Патенты автора Троян Евгений Фёдорович (BY)

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, управляемым только изменением электрического тока или электрического потенциала. Электрически перепрограммируемый запоминающий прибор состоит из определенного порядка резистивно-программируемых ячеек памяти, сформированных в халькогенидном материале, который включает как минимум две запоминающие ячейки, вышеназванные ячейки памяти имеют как минимум два интерфейса между халькогенидными пленками, в одних из вышеназванных пленках содержится кислород или фтор, и эти вышеназванные халькогенидные пленки контактируют (имеют интерфейс) с многослойным халькогенидным материалом, содержащим определенную концентрацию электрически активных примесей-доноров, и этот вышеназванный многослойный халькогенидный материал помещен между двумя вышеназванными ячейками памяти и множеством электродов, включающих первый и второй электроды и два отводящих электрода, вышеназванный первый электрод позиционирован ниже всех и он электрически контактирует с нижней областью первой ячейки памяти, вышеназванный второй электрод позиционирован сверху и он электрически контактирует с верхней областью второй ячейки памяти, и вышеназванные два отводящих электрода, расположенных между вышеназванными первым и вторым электродами и электрически контактирующих с вышеназванной высшей областью вышеназванной первой ячейки памяти и с вышеназванной низшей областью вышеназванной второй ячейки памяти. Техническим результатом изобретения является стабилизация поляризационной фазы в ХГС при отсутствии внешнего напряжения в широком температурном диапазоне. 19 з.п. ф-лы, 12 ил.

 


Наверх