Патенты автора Одинец Андрей Анатольевич (RU)

Изобретение относится к способу получения сегнетоэлектрической пленки Ba1-xSrxTiO3 и может быть использовано для мощной сверхвысокочастотной техники. На первом этапе распыляют мишень состава Ba0,4Sr0,6TiO3 на подложку карбида кремния в атмосфере кислорода при давлении 2 Па и температуре подложки 700-900°С в течение времени, достаточного для создания сплошного сегнетоэлектрического слоя. На втором этапе процесс распыления прекращают и повышают температуру подложки на время, достаточное для отжига сплошного сегнетоэлектрического слоя. По окончании процесса отжига температуру подложки понижают до температуры первого этапа. Прочие технологические параметры не изменяют. Затем этапы повторяются несколько раз до получения необходимой толщины сегнетоэлектрической пленки. Технический результат состоит в получении сегнетоэлектрической пленки с высокой диэлектрической нелинейностью при низких диэлектрических потерях на подложке с высокой теплопроводностью для мощной сверхвысокочастотной техники. 2 ил., 1 пр.

Изобретение относится к технологии получения тонких пленок для сверхвысокочастотных применений и может быть использовано для выбора оптимальных компонентных составов пленок и срезов монокристаллической подложки для достижения эпитаксиального роста. На первом этапе определяется материал подложки, на которой хотят получить тонкую пленку. Затем, исходя из рассогласования межплоскостных доменов материалов подложки и выращиваемой пленки, выбирают подходящие материалы мишени, которую будут распылять. Затем из выбранных материалов мишени подбирают материал из условий обеспечения рассогласования межплоскостных доменов подложки и пленки в направлении, отличающемся от первого. Таким образом согласуются двумерные домены пленки и подложки, при этом происходит компенсация остаточных рассогласований. Далее выбранный материал мишени распыляют на сапфировую подложку в атмосфере кислорода при давлении 2 Па и температуре подложки 850°С. Техническим результатом является улучшение структурного качества и кристалличности тонких пленок для сверхвысокочастотных применений на несогласованных подложках. 2 ил.

Способ получения сегнетоэлектрической пленки Ba1-xSrxTiO3 относится к технологиям получения тонких пленок и может быть использован при получении сегнетоэлектрических пленок Ba1-xSrxTiO3 для сверхвысокочастотной техники. На первом этапе распыляют мишень состава Ba0,4Sr0,6TiO3 на сапфировую подложку с подслоем платины в атмосфере кислорода при давлении 2 Па и температуре подложки 700-900°С в течение времени, достаточного для создания сплошного сегнетоэлектрического слоя. На втором этапе процесс распыления прекращается на время, достаточное для отжига сплошного сегнетоэлектрического слоя, прочие технологические параметры не изменяются. Затем этапы повторяются несколько раз для получения необходимой толщины сегнетоэлектрической пленки. Техническим результатом является высокая диэлектрическая нелинейность сегнетоэлектрической пленки при низких диэлектрических потерях, что позволяет использовать полученные сегнетоэлектрические пленки в сверхвысокочастотной технике. 2 ил.

Способ получения сегнетоэлектрической пленки Ba1-xSrxTiO3 относится к технологиям получения тонких пленок и может быть использован при получении сегнетоэлектрических пленок Ba1-xSrxTiO3 для сверхвысокочастотной техники. На первом этапе на сапфировой подложке формируют сплошной сегнетоэлектрический слой путем распыления мишени состава Ba1-xSrxTiO3 в атмосфере кислорода с давлением 2 Па и температуре подложки 850-900°C. На втором этапе температуру подложки снижают до 750-800°C, при которой формируют основной сегнетоэлектрический слой. Техническим результатом является высокая диэлектрическая нелинейность ориентированной сегнетоэлектрической пленки при высокой добротности, позволяющая использовать полученные сегнетоэлектрические пленки в сверхвысокочастотной технике. 3 ил.

 


Наверх