Патенты автора Третников Петр Васильевич (RU)

Изобретение относится к способу вакуумного ионно-плазменного осаждения тонкой аморфной пленки из фосфор-оксинитрида лития LiPON на подложку. Проводят нагрев, плавление, испарение ортофосфата лития Li3PO4 и формирование пленки на поверхности подложки в плазме разряда низкого давления с самонакаливаемым полым катодом и анодом, состоящим из двух частей. Одной частью анода является анод-тигель, внутрь которого помещают порошок испаряемого вещества Li3PO4 и испаряют его со скоростью, регулируемой изменением величины тока в цепи анода-тигля. Второй частью анода является полый электрод-ионизатор. Плотность генерируемой плазмы регулируют изменением величины тока в цепи электрода-ионизатора. Li3PO4 испаряют в закрытом аноде-тигле, имеющем в крышке отверстие 6 мм для потока паров. Реактивный азот подают через полый электрод-ионизатор и увеличивают ток в цепи электрода выше порогового значения 30 А, при котором формируется аморфная пленка LiPON с высокой ионной проводимостью. Пленку LiPON формируют на поверхности подложки, имеющей плавающий потенциал и температуру ниже 200°С. После достижения требуемой толщины пленки выключают разряд, перекрывают напуск реактивного азота в реакционный объем. Затем в вакууме не выше 0,01 Па проводят стабилизирующий отжиг путем нагрева сформированной пленки LiPON до температуры 250°С и выдержки при этой температуре в течение 2 часов. Обеспечивается увеличение скорости осаждения пленки твердого электролита из фосфор-оксинитрида лития LiPON. 3 ил.

Изобретение относится к способу получения нанокристаллического покрытия из альфа-оксида алюминия с высокой скоростью при пониженной температуре. Способ включает нанесение на поверхность изделия изоструктурного подслоя из оксида хрома, нагрев изделия, плавление и испарение алюминия и осаждение покрытия на поверхность изделия в кислородно-аргоновой плазме разряда в условиях ионной бомбардировки. Концентрация аргон-кислородной плазмы и скорость испарения алюминия регулируют независимо и в широких пределах изменением распределения тока между анодом-тиглем, в котором происходит плавление и испарение алюминия, и полым анодом-ионизатором, через который напускают кислород. Формирование покрытий со структурой альфа-оксида алюминия достигают тем, что при заданном значении скорости испарения алюминия устанавливают величину потенциала смещения на изделиях и ток в цепи анода-ионизатора, при которых обеспечивается требуемая для формирования нанокристаллической альфа-фазы оксида алюминия плотность тока и энергия ионов на поверхности растущего покрытия. Для формирования покрытия со структурой альфа-фазы оксида алюминия со скоростью 3-5 мкм/ч при температуре изделия 600оС температура поверхности расплава составляет 950-1000оС при плотности ионного тока и потенциале смещения в диапазоне 3-10 мА/см2 и 25-200 В, соответственно. 2 ил.

Изобретение относится к области нанесения покрытий из аморфного оксида алюминия на изделия из металла и диэлектриков и может быть использовано в различных областях науки и техники. Способ нанесения покрытия из аморфного оксида алюминия реактивным испарением алюминия осуществляют следующим образом. В рабочей камере прикладывают напряжение и зажигают тлеющий разряд между самонакаливаемым полым катодом, через полость которого подают поток аргона, и полым анодом, помещенным внутрь экрана, имеющего плавающий потенциал. В полости анода размещают навеску алюминия и используют его в качестве тигля, разогревают самонакаливаемый полый катод увеличением тока разряда до температуры, обеспечивающей переход тлеющего разряда в режим горения с двойным электрическим слоем пространственного заряда на входе в полый анод, и проводят очистку поверхности подложки, установленной напротив апертуры полого анода, распылением ионами аргона. Затем в рабочую камеру подают кислород и увеличивают ток разряда до значений, обеспечивающих разогрев и испарение алюминия с ионизацией его паров потоком ускоренных в двойном электрическом слое электронов и формированием потока ионов испаряемого алюминия, ускоренных до энергии 10-100 электрон-вольт в направлении подложки, с обеспечением формирования в среде, содержащей кислород и пары алюминия, покрытия из аморфного оксида алюминия. Обеспечивается получение высококачественного диэлектрического оксидного покрытия из аморфного оксида алюминия при регулируемой в широких пределах скорости нанесения. 1 ил.

Изобретение относится к способам ионно-лучевой обработки изделий с большой площадью поверхности. Обрабатываемые изделия перемещают поперек большой оси пучка, формируемого с помощью ионно-оптической системы, содержащей плазменный и ускоряющий электроды, каждый из которых содержит большое число щелевых апертур. Многощелевая структура ионно-оптической системы обуславливает существование локальных неоднородностей распределения плотности ионного тока, приводящих к неравномерности ионно-лучевой обработки. Изделия перемещают под углом αmin относительно оси параллельных щелевых апертур, в результате все участки поверхности изделий получают одинаковый флюенс ионного облучения. Минимальный угол αmin=arctg(h/l) определяют из условия пересечения области пучка по диагонали единичной апертуры. Максимальный угол αmax=arccos(H/l) определяют из условия сохранения оптимальной длины апертуры. Здесь l, h - длина и ширина апертур, Н - длина короткой оси сечения пучка. Технический результат - достижение равномерной ионно-лучевой обработки изделий при их перемещении в области ионного пучка. 4 ил.

 


Наверх