Патенты автора Божьев Иван Вячеславович (RU)
Изобретение относится к электромагнитным клапанам для переключения потоков воздушных или аэрозольных сред и может быть использовано для формирования движущегося пространственного изображения в ламинарном воздушном потоке. Предложенный клапан характеризуется наличием: корпуса с крышкой, включающего три трубки, имеющие Y-образное соединение, две из которых образуют входные каналы для двух потоков воздушной или аэрозольной среды, третья - выходной канал, шторки, имеющей перекрывающую каналы часть - заслонку, ось и рычажную часть, при этом заслонка расположена в области соединения двух входных каналов и выполнена с возможностью перемещения из одного положения, обеспечивающего перекрытие первого входного канала, во второе положение, обеспечивающее перекрытие второго входного канала, по меньшей мере двух постоянных магнитов, расположенных между трубками, которые соответствуют входным каналам корпуса, при этом шторка снабжена электромагнитом, размещенным на ее рычажной части с возможностью перемещения между постоянными магнитами при подаче на электромагнит импульсов тока. Изобретение обеспечивает ламинарное течение среды на всем временном интервале работы устройства при сохранении высокой скорости переключения. 13 з.п. ф-лы, 7 ил.
Изобретение относится к нанотехнологиям, а именно к технологиям изготовления одноэлектронных транзисторов с островом в виде единичных атомов в кристаллической решетке. Технический результат, достигаемый при использовании заявляемого изобретения, заключается в обеспечении высокой (~5 нм) точности позиционирования слоя с управляющими электродами относительно слоя с туннельными электродами. Поставленная задача решается тем, что способ изготовления одноэлектронного одноатомного транзистора с открытым каналом, согласно техническому решению, включает последовательное: нанесение слоя позитивного электронного резиста (ЭРП) на пластину кремния на изоляторе (КНИ); формирование рисунка туннельных электродов проявления экспонированного рисунка в проявителе; напыление пленки стойкого к щелочному травлению металла на пластину с рисунком туннельных электродов с последующим удалением оставшегося резиста и пленки металла на нем в растворителе, нанесение пленки ЭРП на полученную пластину с туннельными электродами и формирование рисунка маски; напыление пленки маскирующего материала, растворимого в щелочном растворе; удаление верхнего слоя кремния пластины КНИ; нанесение слоя резиста на полученную пластину с туннельными электродами с последующим формированием щели в полученном слое резиста; напыление слоя стойкого металла в сформированную щель с образованием управляющих электродов; растворение маскирующего материала с остатками стойкого металла на нем в щелочном травителе. Технический результат достигается за счет использованием одного и того же жертвенного слоя (слой алюминия) как на этапе травления кристаллического канала, так и при напылении управляющих электродов. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 15 ил.
СПОСОБ СУХОЙ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ЛИТОГРАФИИ // 2629135
Использование: для формирования резистных масок. Сущность изобретения заключается в том, что наносят слой резиста, в качестве которого выбирают низкомолекулярный полистирол, на подложку методом термического вакуумного напыления, при этом температура подложки во время напыления не более 30°C; формируют на подложке скрытое изображение путем локального экспонирования высокоэнергетичным пучком электронов с дозой засветки 2000-20000 мкКл/см2; проявляют резист при подогреве подложки в вакууме до температуры 600-800 К и при давлении не более 10-1 мбар и плазменное травление для переноса рисунка резистной маски в подложку для формирования микро- и наноструктуры на подложке. Технический результат: обеспечение возможности повышения разрешающей способности готовой структуры формирования наноструктур на поверхностях неровной сложной формы, таких как микроэлектромеханические системы, оптоволокно, кантилеверы и пр.; и создания очень тонких пленок резиста (в некоторых определенных случаях менее 20 нм). 7 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для изготовления функциональных элементов наноэлектроники. Техническим результатом является возможность совмещения острия зонда с выполняемой на нем наноструктурой на предопределенных расстояниях 0-50 нм от оконечности острия. Способ изготовления элементов с наноструктурами для локальных зондовых систем включает нанесение на подложку из монокристаллического кремния с ориентацией {100}, по меньшей мере, одного слоя маскирующего покрытия, в котором формируют рисунок шаблона с выделением, по меньшей мере, трех областей, размещенных по взаимно перпендикулярным осям, совпадающим с двумя перпендикулярными кристаллографическими осями <110> подложки, задающих направление разлома подложки на соответствующее количество элементов и образующих на поверхности маскирующего покрытия каждого элемента вблизи точки пересечения указанных осей площадки для размещения наноструктуры, проведение жидкостного травления подложки через сформированный в маскирующем покрытии рисунок шаблона до проявления фигур травления в теле подложки в форме треугольных канавок, образованных пересечением плоскостей {111} подложки, формирование наноструктур на упомянутых площадках литографическими методами и разделение подложки на указанные элементы по линиям, образованным канавками. 8 з.п. ф-лы, 6 ил.
