Патенты автора Четвертухин Артём Вячеславович (RU)
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МИКРОСТЕРЕОЛИТОГРАФИЧЕСКОЙ 3D-ПЕЧАТИ // 2783178
Изобретение относится к изготовлению изделий из полимерных материалов, а именно к микростереолитографической 3D-печати оптических элементов сложной формы, и может быть использовано в медицинских целях при производстве индивидуальных контактных линз для пациентов с деформацией роговицы либо для изготовления контактных линз с особыми свойствами, например, используемых в системах дополненной реальности. Способ включает: изготовление кюветы, у которой часть внутренней поверхности дна имеет выпуклую и/или вогнутую форму, соответствующую форме первой рабочей поверхности изготавливаемого оптического элемента, заполнение кюветы фоторезистом, формирование оптического элемента при воздействии на фоточувствительный полимер ультрафиолетовым излучением с заданным распределением интенсивности в объеме печатаемого оптического элемента, обеспечивающим формирование требуемой формы второй рабочей поверхности оптического элемента, очистку изготовленного оптического элемента от жидкого неполимеризованного фоторезиста и обработку оптического элемента способом вакуумного прессования для сглаживания неровностей на верхней поверхности оптического элемента, образованных под действием ультрафиолетового излучения. Технический результат изобретения заключается в обеспечении возможности изготовления оптических элементов произвольной формы толщиной от единиц мкм до 1 мм и шероховатостью поверхности не более 100 нм. 8 з.п. ф-лы, 13 ил.
СПОСОБ МОДУЛЯЦИИ ИНТЕНСИВНОСТИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ПОМОЩЬЮ МАГНИТОПЛАЗМОННОГО КРИСТАЛЛА // 2620026
Изобретение относится к оптике, а именно к способам модуляции интенсивности света оптического и ближнего ИК диапазонов. Изобретение может быть использовано в прикладной магнитооптике, в оптоэлектронике, фотонике, а также в сенсорной технике. Способ модуляции интенсивности прошедшего или отраженного электромагнитного излучения с помощью магнитоплазмонного кристалла включает в себя создание двумерного магнитоплазмонного кристалла, состоящего из прозрачной диэлектрической подложки, двумерного массива частиц из благородного металла с субволновыми размерами, погруженного в тонкий диэлектрический магнитный слой толщиной не меньше размера частиц; освещение магнитоплазмонного кристалла ТМ-поляризованным электромагнитным излучением при приложении магнитного поля в геометрии экваториального магнитооптического эффекта Керра. Технический результат - модуляция интенсивности прошедшего и отраженного оптического излучения с помощью структуры с размерами меньше, чем длина волны используемого излучения. 4 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 табл.
