Патенты автора Гришуткина Татьяна Евгеньевна (RU)
Изобретение относится к радиоэлектронике, а точнее к тонкопленочной технологии. Сущность способа изготовления резистора на кристаллической или поликристаллической подложке заключается в том, что кристаллическую или поликристаллическую подложку шлифуют, располагают ее в импланторе, направляют сфокусированный поток ионов на подложку и рисуют им резистор. Техническим результатом изобретения является расширение арсенала способов изготовления резистора на кристаллической или поликристаллической подложке. 1 ил.
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПОВЕРХНОСТИ // 2621469
Изобретение относится к визуальной оценке качества поверхностей плоских подложек для оптико-электронных компонентов и может быть использовано при техническом контроле состояния поверхности крупных партий деталей в электротехнической промышленности. В заявленном способе контроля поверхности на фоновой поверхности располагают деталь с контролируемой поверхностью, обращенной к источнику света, освещают контролируемую поверхность косонаправленным пучком света, имеющим цветовую окраску, и наблюдают дефекты контролируемой поверхности при аддитивном смешивании цвета контролируемой поверхности и цвета окраски косонаправленного пучка света. Технический результат - повышение производительности процесса контроля поверхностей. 2 ил.
Изобретение относится к радиоэлектронике, а точнее к технологии производства печатных плат. Технический результат изобретения - создание способа изготовления межслойного перехода между печатными проводниками на кристаллической или поликристаллической подложке, улучшающего адгезию за счет изменения свойств кристалла. Достигается тем, что в способе изготовления межслойного перехода между печатными проводниками на кристаллической или поликристаллической подложке берут подложку с переходными отверстиями, при помощи фоторезиста маскируют ее поверхности, за исключением колец вокруг переходных поверхностей. Располагают подложку в импланторе, экспонируют ее потоком ионов металла с одновременным вращением вокруг оси, перпендикулярной плоскости подложки, причем подложку размещают под углом к потоку ионов, обеспечивающим наилучшее их попадание в переходные отверстия. Извлекают заготовку из имплантора, переворачивают ее, снова располагают в импланторе и повторяют экспонирование с другой стороны. Извлекают заготовку из имплантора и наносят гальваническую медь стандартным способом. 4 ил.
