Патенты автора Гусев Евгений Эдуардович (RU)
СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ МЭМС УСТРОЙСТВ // 2789668
Изобретение относится к способам герметизации МЭМС устройств. Способ заключается в том, что производят формирование канавок в основании, применение технологии временного бондинга с процессом утонения, заполнение канавок методом атомно-слоевого осаждения материала, при этом вывод соединяющих шин из рабочей области герметизации осуществляют через обратную сторону основания, формирование в основании углубления и рабочей полости производится за счет одного фотошаблона и одного плазмохимического травления, формирование на крышке выступов и области геттера, при этом выступы крышки и углубления основания имеют цилиндрическую форму, одинаковый диаметр и высоту. Технический результат - улучшение герметизации конечного МЭМС устройства. 10 ил.
Изобретение относится к электронной технике, в частности к микроэлектронике, и может быть использовано при изготовлении кристаллов интегральных схем (ИС) и дискретных полупроводниковых приборов, представляющих собой тонкую пластину. Способ временного бондинга пластин для формирования тонких пластин включает нанесение адгезионного слоя на рабочую пластину, нанесение антиадгезионного слоя на пластину-носитель, термокомпрессионное соединение двух пластин, шлифовку или полировку обрабатываемой поверхности рабочей пластины, механическое разъединение рабочей пластины и пластины-носителя, очистку поверхности рабочей пластины органическим растворителем, при этом процесс сушки адгезионного и антиадгезионного слоя выполняют в процессе соединения двух пластин, максимальная температура нагрева пластин не может быть менее температуры перехода адгезионного и антиадгезионного слоев в твердое состояние, и выбирается в зависимости от температурного коэффициента линейного расширения материалов по предложенному соотношению. 5 ил., 1 пр.
Изобретение относится к рентгеновским устройствам, применимым в качестве составной части источника рентгеновского излучения для задач рентгеновской нанолитографии. Изобретение предназначено для апробации концепции рентгеновской литографии на базе источника синхротронного излучения в диапазоне длин волн от 6.6 до 13.5 нм. Матрица состоит из рентгеновских окон и двух слоев, первый из которых имеет более высокую теплопроводность и рассеивает тепло, а второй производит большую часть рентгеновского излучения, генерируемого прострельной мишенью. Причем сформирован дополнительный управляющий компенсационный электрод, препятствующий электростатическому прогибу матрицы прострельных мишеней, при этом первый теплопроводящий слой конструкционно совмещен с рентгеновскими окнами и представляет собой единый элемент - перфорированный анодный электрод. Техническим результатом является возможность создавать многолучевой поток параллельно направленного рентгеновского излучения, генерируемого матрицей прострельных мишеней, в требуемом диапазоне длин волн с повышенной линейной направленностью, что способствует формированию более четкого топологического рисунка с разрешением до 20 нм. 5 ил.
Изобретение относится к производству интегральных микросхем и микроэлектромеханических приборов и может быть использовано для формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек без использования фотошаблонов и фоторезистивных масок. Способ формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности кремниевой подложки включает размещение подложки в вакуумной реакционной камере, откачивание реакционной камеры, локальное облучение подложки от внешнего источника, подачу к подложке реагента, из которого на облучаемые локальные области подложки осаждают топологические элементы с трехмерными структурами функционального слоя. Локальное облучение подложки осуществляют с использованием лазера с любой стороны подложки с энергией облучения от внешнего источника, превышающей энергию десорбции осаждаемого материала на ней. Время задержки между включением внешнего источника для локального облучения и началом подачи реагента составляет не менее 100 нc, а осаждаемый материал представляет собой атомы индия или алюминия. Обеспечивается повышение энергоэффективности процесса и повышение равномерности осаждаемого слоя в структуре за счет облучения с любой стороны подложки, снижение себестоимости структуры изделия и сокращения времени осаждения слоя за счет использования одного реагента. 3 ил., 2 пр.
Изобретение относится к рентгеновской технике. Технический результат - повышение интенсивности рентгеновского излучения, увеличение продолжительности срока эксплуатации прибора, расширение перечня излучаемых длин волн, обеспечение возможности выбора количества длин волн и формы рентгеновского излучения. Используют матрицу катодов, сфокусированную на локальной части мишени анода, состоящей из n видов материалов, катоды имеют m разных радиусов кривизны острия. Это обеспечивает возможность выборочной подачи напряжения на отдельный катод из матрицы катодов по результатам расчета количества генерируемых длин волн L рентгеновского источника по формуле L=n×m, причем количество генерируемых длин волн L должно быть не менее количества слоев исследуемой структуры. 2 н.п. ф-лы, 5 ил.
Суть настоящего изобретения состоит в формировании глубокопрофилированных кремниевых структур последовательными операциями изотропного и анизотропного травления, причем операцию фотолитографии выполняют на кремниевой структуре, используя фоторезист с гидроизоляционными свойствами. Изобретение обеспечивает повышение точности формирования глубокопрофилированных кремниевых структур за счет уменьшения числа используемых материалов. 6 ил.
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЛОКАЛЬНОГО МЕХАНИЧЕСКОГО НАПРЯЖЕНИЯ В ПЛЕНКЕ НА ПОДЛОЖКЕ // 2679760
Изобретение относится к способам измерения механических свойств материалов, в том числе механических напряжений, с использованием оптических приборов для анализа напряжений. В ходе реализации способа определяют локальное механическое напряжение в пленке на подложке и двухосный модуль упругости пленки и подложки. Данный подход включает в себя формирование карты толщины подложки, определение кривизны поверхности подложки, формирование карты толщины пленки, расчет механических напряжений по формуле Стони. Определяют постоянные двухосного модуля упругости подложки и пленки с помощью создания избыточного давления. Величину кривизны поверхности определяют посредством геометрического расположения точек рельефа. Технический результат заключается в повышении точности определения механических напряжений и расширении перечня измеряемых механических свойств материалов. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к электронной технике, в частности к микроэлектронике, и может быть использовано при изготовлении кристаллов интегральных схем (ИС) и дискретных полупроводниковых приборов. Суть настоящего изобретения состоит в измерении механических напряжений в МЭМС структурах, включающем формирование пленки-покрытия на основе. Измеряют относительное удлинение пленки-покрытия по изменению величины зазора между краями балок пленки-покрытия посредством микроскопа. Используя одновременно две балки можно проверить результаты измерения механических напряжений, не проводя дополнительных технологических операций по формированию второй (контрольной) балки из пленки-покрытия. Для контрольной балки значения переменных b и bo совпадают со значениями этих переменных для первой (тестируемой) балки. Таким образом, для измерений механических напряжений в двух структурах из пленки-покрытия будут использоваться четыре переменные (b, bo, L, L** - длина контрольной балки после травления фрагмента основы). Технический результат - повышение точности контрольного измерения, обеспечение возможности работы с тестовыми и рабочими пластинами, расширение перечня инструментов для измерения. 2 ил.
СПОСОБ ИЗМЕНЕНИЯ РАДИУСА КРИВИЗНЫ ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИНЫ ДЛЯ МИНИМИЗАЦИИ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ // 2666173
Задачей настоящего изобретения является расширение способов изменения кривизны поверхности за счет расширения способов получения используемых пленок, типов используемых пленок, возможности варьирования толщины пленок. Суть настоящего изобретения состоит в том, что изменяют кривизну поверхности пластины посредством осаждения слоя пленки на пластину, причем используют различные газовые смеси, осаждение проводят с последующим травлением слоя пленки, рассчитывают величину механических напряжений по пластине в локальных областях по формуле Стони, сравнивают значение механических напряжений с контрольным значением механических напряжений σk для успешного выполнения последующей технологической операции, при |σ|<|σk| проводят операцию, при |σ|>|σk| осаждают или травят пленку повторно. 3 ил.
Изобретение относится к устройствам для химического жидкостного разделения полупроводниковых пластин на кристаллы без использования механических устройств и электроэнергии. Устройство для химического разделения полупроводниковых пластин на кристаллы содержит рабочую емкость, перфорированные элементы и съемный набор масок, в котором расположение пазов совпадает с расположением областей разделения на кристаллы, перфорированные элементы - основание и крышка, крышка посажена на основание, а диаметр отверстия перфорации и расстояние от нижней плоскости крышки до верхней плоскости полупроводниковой пластины либо верхней плоскости съемных масок не превышает минимальный размер грани кристалла. Изобретение обеспечивает повышение выхода годных кристаллов, сокращает потребление энергии, повышает эргономичность устройства, осуществляет возможность формирования кристаллов различной формы. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.
Суть настоящего изобретения состоит в процессе формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек. Способ основан на применении перспективной «аддитивной технологии», то есть топологические элементы функционального слоя создаются на локальных участках подложки путем прямого осаждения на них материала. В процессе формирования элементов не используются фотошаблоны и фоторезистивные маски. Задачей настоящего изобретения является повышение воспроизводимости и точности формирования топологических элементов функциональных слоев, а также увеличение производительности и снижение стоимости способа их получения. 3 ил.
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники, и может быть использовано в технологии изготовления интегральных чувствительных элементов газовых датчиков с диэлектрическими мембранами. Задачей изобретения является повышение выхода годных кристаллов и увеличения рентабельности изделия за счет увеличения механической прочности структуры в целом благодаря освобождению мембраны одной операцией травления подложки в конце технологического маршрута и за счет уменьшения механических напряжений в мембране благодаря использованию чередующихся слоев. 7 ил.
СУПЕРКОНДЕНСАТОР НА ОСНОВЕ КМОП-ТЕХНОЛОГИИ // 2629364
Изобретение относится к твердотельному суперконденсатору и может быть использовано в устройствах хранения энергии разнообразных интегральных микросхем. Суперконденсатор содержит два электрода, размещенный между ними диэлектрический слой, конформно расположенный на нижнем электроде, при этом верхний электрод конформно расположен на диэлектрическом слое, нижний электрод сформирован на профильно-структурированном основании из пористого оксида алюминия или титана. Увеличение плотности энергии суперконденсатора, повышение воспроизводимости формирования структуры с регулируемыми значениями емкости и плотности запасенной энергии является техническим результатом изобретения. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.
Использование: для измерения механических напряжений в МЭМС структурах. Сущность изобретения заключается в том, что способ измерения механических напряжений в МЭМС структурах включает формирование между пленкой-покрытием и основой промежуточного слоя, при этом промежуточный слой может иметь произвольную толщину, измеряют относительное удлинение пленки-покрытия по изменению величины зазора между краем балки и периферией пленки-покрытия посредством растрового электронного микроскопа и рассчитывают механические напряжения на рабочих пластинах по формуле
,где L - длина свободного конца балки после удлинения/сжатия, d0 - зазор между краем балки и областью периферии пленки-покрытия до травления промежуточного слоя, d - зазор между краем балки и областью периферии пленки-покрытия после травления промежуточного слоя, - модуль Юнга покрытия, -коэффициент Пуассона покрытия. Технический результат: обеспечение возможности повышения точности измерения. 2 ил.
