Патенты автора Дедкова Анна Александровна (RU)
Изобретение относится к рентгеновским устройствам, применимым в качестве составной части источника рентгеновского излучения для задач рентгеновской нанолитографии. Изобретение предназначено для апробации концепции рентгеновской литографии на базе источника синхротронного излучения в диапазоне длин волн от 6.6 до 13.5 нм. Матрица состоит из рентгеновских окон и двух слоев, первый из которых имеет более высокую теплопроводность и рассеивает тепло, а второй производит большую часть рентгеновского излучения, генерируемого прострельной мишенью. Причем сформирован дополнительный управляющий компенсационный электрод, препятствующий электростатическому прогибу матрицы прострельных мишеней, при этом первый теплопроводящий слой конструкционно совмещен с рентгеновскими окнами и представляет собой единый элемент - перфорированный анодный электрод. Техническим результатом является возможность создавать многолучевой поток параллельно направленного рентгеновского излучения, генерируемого матрицей прострельных мишеней, в требуемом диапазоне длин волн с повышенной линейной направленностью, что способствует формированию более четкого топологического рисунка с разрешением до 20 нм. 5 ил.
Изобретение относится к способам анализа поверхностей произвольной формы с использованием значений кривизны локальных областей. Задача изобретения - унификация определения кривизны и радиуса кривизны при исследованиях, близких к сферической форме пластин и структур для проведения сравнительного анализа в рамках одной партии; расширение получаемых данных о кривизне и локальной форме поверхности при подробном исследовании сложной формы пластин и структур за счет расширения номенклатуры получаемых типов кривизны; проведение оценки локальной формы поверхности исходя из знака рассчитанных величин; повышение наглядности и удобства анализа карт поверхности пластин и структур. Способ определения локальной кривизны и формы поверхности пластин и структур, включает в себя получение цифровой модели рельефа, после чего производится сглаживание поверхности, производится сечение цифровой модели рельефа анализируемой поверхности с последующим определением одного значения кривизны или вектора значений кривизны, формируется вектор значений локальной кривизны, производится построение и анализ зависимости, для анализа кривизны используются вторые частные производные и/или полная система кривизн поверхности. 2 ил.
Изобретение относится к исследованиям прочностных свойств пленок и мембран, анализу работы изделий на их основе. Изобретение может быть использовано для анализа зависимости прогиба от избыточного давления при проведении испытаний пленок и мембран и последующих расчетов параметров датчиков давления, изготовленных на их базе. Сущность: подготовка образцов при проведении испытаний включает в себя закрепление кристалла с мембраной на держателе, фиксируется исходное положение и форма мембраны при свободном размещении образца на поверхности стола, рассчитывается площадь поверхности мембраны S - для простой формы мембраны путем аналитического расчета, а для сложной формы мембраны численно посредством наложения треугольной сетки, вычисляется исходный эффективный прогиб мембраны w0=wэ на основе анализа общей площади поверхности мембраны S и площади ее основания S0=πа2, где а - радиус отверстия в подложке, над которым сформирована мембрана, из соотношения после чего производится закрепление держателя с образцом в экспериментальной установке для создания избыточного давления таким образом, чтобы форма мембраны и ее эффективный прогиб не отличались от формы и эффективного прогиба свободно расположенной на поверхности стола мембраны на кристалле. При подаче на образец одностороннего избыточного давления производится фиксация текущей топографии поверхности мембраны и определяется значение текущего вертикального перемещения вершины образовывающегося купола мембраны относительно первоначального положения - изменение величины прогиба мембраны w относительно w0. Производится анализ изменения топографии поверхности мембраны при увеличении одностороннего избыточного давления, в том числе фиксируется момент изменения положения мембраны относительно поверхности подложки для хлопающих мембран. Для расчета механических свойств и анализа зависимости между величиной приложенного избыточного давления Р и соответствующим максимальным прогибом мембраны w, наблюдающимся в центре мембраны, используются величины, определенные на нелинейном участке зависимости w(P) - вблизи высоких давлений, при этом в качестве прогиба w используется разница между текущим прогибом мембраны при наличии избыточного давления Р и исходным эффективным прогибом w0 при отсутствии приложенного избыточного давления. Технический результат: повышение точности исследования пленочных материалов и изделий на их основе, в частности однослойных и многослойных мембран толщиной порядка единиц микрометров и менее, в том числе имеющих начальный прогиб при отсутствии избыточного давления, в том числе мембран со сложной исходной формой топографии поверхности, в том числе хлопающих мембран; повышение наглядности, удобства и чувствительности анализа зависимости прогиба мембран от избыточного давления. 2 ил.
Способ может использоваться при межоперационном контроле механических напряжений и дефектов в функциональных слоях. Способ включает эллипсометрические измерения показателя преломления на локальных участках пленки, однократное определение на каждом участке пленки толщины dƒ и показателей преломления для обыкновенного no и необыкновенного ne лучей, по которым рассчитывают значения величины двойного лучепреломления Δn: Δn=(no-ne). Карту механических напряжений σ и вызванных ими дефектов определяют по закону фотоупругости: σ=Δn/k, где k - упругооптическая постоянная, определяемая по формуле: k=Δn/σ, с использованием величины σ, определенной по формуле Стоуни: где ds, ν и Es - соответственно толщина, коэффициент Пуассона и модуль Юнга подложки, R - эффективный радиус кривизны подложки с пленкой. Топографический рельеф - локальные радиусы кривизны поверхности - определяют по величине двойного лучепреломления Δn и толщине слоя dƒ. Технический результат - уменьшение времени и сложности контроля дефектности и механических напряжений и расширение номенклатуры измеряемых параметров. 1 табл., 2 ил.
Изобретение относится к измерительной технике, а конкретнее к оптической профилометрии, и может быть использовано для измерения поверхностного микрорельефа, полученного любым способом в произвольной разнородной структуре, обладающей различными оптическими характеристиками. Сущность изобретения заключается в том, что исследуемую структуру до проведения измерений на оптическом профилометре равномерно покрывают тонким слоем металла, при этом толщина слоя определяется исходя из требования пренебрежимой малости отражения оптического излучения от обратной границы металлического слоя и последующих подслоев. Техническим результатом является возможность измерения топологических структур или рельефной поверхности субдесятинанометрового уровня (диапазона (1,0-10) нм) и расширение номенклатуры материалов поверхностных структур, которые можно контролировать с помощью стандартных оптических профилометров. 2 ил., 2 табл.
Использование: для измерения механических напряжений в МЭМС структурах. Сущность изобретения заключается в том, что способ измерения механических напряжений в МЭМС структурах включает формирование между пленкой-покрытием и основой промежуточного слоя, при этом промежуточный слой может иметь произвольную толщину, измеряют относительное удлинение пленки-покрытия по изменению величины зазора между краем балки и периферией пленки-покрытия посредством растрового электронного микроскопа и рассчитывают механические напряжения на рабочих пластинах по формуле
,где L - длина свободного конца балки после удлинения/сжатия, d0 - зазор между краем балки и областью периферии пленки-покрытия до травления промежуточного слоя, d - зазор между краем балки и областью периферии пленки-покрытия после травления промежуточного слоя, - модуль Юнга покрытия, -коэффициент Пуассона покрытия. Технический результат: обеспечение возможности повышения точности измерения. 2 ил.
