Патенты автора Галиев Ринат Радифович (RU)
Способ изготовления воздушных мостов // 2671287
Изобретение относится к технологии формирования воздушных мостов, предназначенных для электрического соединения контактных площадок полупроводниковых структур с большим перепадом рельефа поверхности. Сущность изготовления воздушного моста для полупроводниковых структур заключается в частичном уменьшении перепада рельефа поверхности за счет нанесения нескольких слоев планаризующего резиста, формировании литографической маски и вскрытии окон в планаризующем резисте в областях контакта металла мостов с контактными площадками с последующим нагревом для оплавления верхнего слоя резиста. После этого наносится двухслойная система резистов для взрывной литографии с последующим экспонированием и проявлением областей моста. Последняя операция по формированию металлизации воздушного моста включает в себя напыление металла, его взрыв в соответствующем растворителе и растворение планаризующих слоев под мостами, если этого не происходит в растворителе для взрыва. Техническим результатом изобретения является воспроизводимая и легко контролируемая на каждом этапе технология формирования воздушного моста, благодаря чему обеспечивается электрическое соединение контактных площадок полупроводниковых структур и улучшаются характеристики прибора, в частности, появляется возможность создания качественного электрического контакта к узким гребневым мезаполоскам квантово-каскадного лазера с шириной менее 50 мкм. 2 з.п. ф-лы, 10 ил.
Способ изготовления Т-образного затвора // 2624600
Изобретение относится к технологии формирования Т-образных металлических затворов транзисторов различного типа, предназначенных для работы в диапазонах СВЧ и выше, а также при создании монолитных интегральных схем. Суть изготовления коротких Т-образных затворов с высоким аспектным соотношением и пологим наклоном стенок ножки с помощью диэлектрической маски заключается в последовательном нанесении двухслойного диэлектрика SiO2/SiNx, травлении щели в верхнем диэлектрике SiNx с контролем по времени или до стоп-слоя, конформном осаждении тонкого слоя диэлектрика Al2О3, его травлении с размерами щелей, соответствующих длине затвора, и дальнейшем травлении нижнего слоя SiO2 сквозь полученную маску Al2O3. После этого остатки Al2O3, нависающие над щелью в нижнем слое SiO2, удаляются сухим травлением в хлорсодержащем газе (BCl3). Последняя операция, в зависимости от времени воздействия плазмы, может создать при необходимости подзатворное углубление для приближения затвора к области канала транзистора. Изобретение обеспечивает улучшение характеристик транзистора, в частности увеличение пробивного напряжения, снижение влияния ловушек в призатворной области, уменьшение коллапса тока, а также уменьшение емкости затвор-сток. 4 з.п. ф-лы, 10 ил.
