Патенты автора Батлер Джеймс Эрич (RU)

Изобретение относится к технологии осаждения алмазных пленок из газовой фазы CVD методом, а именно к способу получения легированного дельта-слоя в CVD алмазе. Алмазную подложку помещают в CVD реактор. Сначала на подложку осаждают слой нелегированного CVD алмаза в потоке газовой смеси, содержащей Н2+СН4, затем в поток упомянутой газовой смеси вводят легирующую добавку для осаждения легированного дельта-слоя алмаза поверх нелегированного слоя CVD алмаза, затем в течение времени, превышающего на порядок время упомянутого легирования, формируют в реакционной камере CVD реактора газовую смесь, не содержащую углерод и упомянутую легирующую добавку, с геттером упомянутой легирующей добавки, затем формируют поток газовой смеси, содержащей углерод. Все потоки упомянутых газовых смесей через реакционную камеру CVD реактора поддерживают ламинарными и безвихревыми, не создающими застойных зон. В частном случае осуществления изобретения в качестве легирующей добавки используют бор, азот или фосфор. При осаждении слоя нелегированного CVD алмаза в упомянутую газовую смесь добавляют вещество, представляющее собой геттер бора, например серу. В реакционной камере при формировании упомянутой газовой смеси без углерода и легирующей добавки в качестве геттера используют геттер бора, при этом упомянутая газовая смесь содержит Н2 и серу или кислород, а при формировании потока газовой смеси, содержащей углерод, используют газовую смесь, содержащую Н2+СН4. В реакционной камере при формировании упомянутой газовой смеси без углерода и легирующей добавки в качестве геттера используют геттер бора, при этом упомянутая газовая смесь содержит Н2 и серу или кислород, а при формировании потока газовой смеси, содержащей углерод, используют газовую смесь, содержащую Н2+СН4 и геттер бора, представляющий собой серу или кислород. В CVD алмазе могут осадить более одного дельта-слоя. Обеспечивается создание в толще нелегированного CVD алмаза тонкого слоя (не более нескольких нанометров) алмаза с легирующей примесью. 7 з.п. ф-лы, 2 пр.

 


Наверх