Патенты автора Большаков Алексей Дмитриевич (RU)

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и может найти применение в промышленном производстве светоизлучающих устройств и фоточувствительных элементов. Способ получения функционального трехмерного компонента (ФТК) оптоэлектронного прибора характеризуется тем, что на поверхности нагретой до температуры 620-710°С кремниевой подложки 1 методом молекулярно-пучковой эпитаксии формируют массив однонаправленных нитевидных нанокристаллов (ННК) III-нитридных материалов с образованием массива нанокристаллов 2, имеющих переменное по высоте поперечное сечение с утонениями на обоих концах и частично сросшихся в серединной по высоте зоне 3, после чего осуществляют отделение полученного массива от подложки путем травления водным раствором, включающим плавиковую и азотную кислоту. Полученный отделением от подложки бесподложечный массив ННК предназначен для применения в качестве функционального трехмерного компонента оптоэлектронного прибора. Функциональный трехмерный компонент может являться массивом нитевидных нанокристаллов нитрида индия-галлия, или нитрида индия, или нитрида галлия. Технический результат - обеспечение конструктивной прочности (целостности) ФТК, сформированного в виде массива ННК III-нитридных материалов, достаточной для его функционирования после отделения от подложки при высоком оптическом качестве материала ННК. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 7 ил.

Использование: для синтеза полых квазиодномерных наноструктур. Сущность изобретения заключается в том, что способ роста GaN нанотрубок, активированного легирующей примесью Si на подложке Si с тонким буферным слоем AlN, включает осаждение материалов методом молекулярно-пучковой эпитаксии, перед осаждением ростового материала происходит удаление оксидного слоя в условиях сверхвысокого вакуума, далее следует эпитаксиальное осаждение буферного слоя на ростовую подложку, эпитаксиальное осаждение материалов синтезируемой нанотрубки на ростовую подложку, эпитаксиальное осаждение на ростовую подложку атомов элемента, который, взаимодействуя с поверхностными атомами растущего кристалла, влияет на кинетику и/или динамику ростового процесса. Технический результат: обеспечение возможности улучшения качества кристаллической решетки и качества огранки. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к конструкции и составу слоев фотоэлектрических преобразователей с несколькими переходами. Задачей заявляемого изобретения является создание фотоэлектрического преобразователя с несколькими р-n-переходами, отличающегося повышенным КПД за счет введения в состав фотопреобразователя близких по параметру решетки с кремнием слоев на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А2В4С52. В качестве подложки для фотоэлектрического преобразователя выбран кристаллический кремний, обладающий высокими прочностными и теплопроводными характеристиками. Техническим результатом, позволяющим выполнить поставленную задачу, является использование в составе фотоэлектрического преобразователя полупроводниковых слоев соединений А2В4С52, близких по параметру решетки к кремнию, например слои ZnGeP2 и ZnSiP2, в результате чего не происходит формирование кристаллических дефектов, таких как дислокации несоответствия, что приводит к увеличению квантовой эффективности преобразования оптического излучения фотопреобразователя, при этом результат достигается за счет увеличения времени жизни неосновных носителей заряда по причине уменьшения плотности кристаллических дефектов за счет использования полупроводниковых слоев соединений А2В4С52, близких по параметру решетки к кремнию, например слои ZnGeP2 и ZnSiP2. 7 з.п. ф-лы, 4 ил.

 


Наверх