Патенты автора Свинцов Дмитрий Александрович (RU)
ПРОЛЕТНЫЙ ДИОД С ПЕРЕМЕННОЙ ИНЖЕКЦИЕЙ ДЛЯ ГЕНЕРАЦИИ И ДЕТЕКТИРОВАНИЯ ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ // 2790304
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для изготовления генераторов и приемников терагерцового излучения. Пролетный диод с переменной инжекцией для генерации и детектирования терагерцового излучения, в котором на полупроводниковой подложке формируются области сильного однотипного легирования с одинаковыми по ширине нелегированными пролетными промежутками между ними, причем на крайние легированные области накладываются выходные металлические контакты диода с отступлением от края зоны легирования, что улучшает согласование диода с антенной, повышает мощность генерации и увеличивает чувствительность детектирования излучения. Технический результат: предлагаемая конструкция пролетного диода обеспечивает согласование его с антенной, повышает мощность генерации и чувствительность детектирования. 4 ил.
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для изготовления генераторов терагерцового диапазона частот с мощностью 1 мВт и более. Сущность: предложен пролетный диод для генерации терагерцового излучения, состоящий из полупроводниковой подложки с двумя областями сильного легирования и нанесенными на них металлическими контактами, между которыми находится нелегированная пролетная щель, в которую включены участки с увеличенной шириной щели, и рядом с каждым расширенным участком щели расположена шунтируюшая емкостная перемычка, соединяющая металлические контакты пролетного диода. Технический результат заключается в обеспечении устойчивой генерации терагерцового излучения, улучшении согласования пролетного диода с антенной, увеличении мощности генерации. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТУНЕЛЬНОГО МНОГОЗАТВОРНОГО ПОЛЕВОГО НАНОТРАНЗИСТОРА С КОНТАКТАМИ ШОТТКИ // 2717157
Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления нанотранзисторов и СБИС. Технический результат: электрическое легирование с помощью дополнительных затворов, позволяющее создавать более резкие p-n переходы, чем в туннельных транзисторах с физическим легированием; увеличение крутизны характеристик туннельных транзисторов и снижение их порогового напряжения; возможность изменения типа проводимости канала для применения предлагаемых транзисторов в КМОП технологии цифровых интегральных схем, упрощение технологии изготовления нанотранзисторов с нанометровыми затворами, отсутствие технологических операций, связанных с легированием, расширение функциональных возможностей нанотранзисторов, увеличение крутизны подпороговой характеристики за счет увеличения количества управляющих электродов и обеспечение работы в режиме туннельного транзистора. Сущность изобретения: предлагается способ изготовления туннельного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки и несколькими управляющими электродами затворов на полупроводниковой подложке с использованием вспомогательного слоя (ВС) диэлектрик-металл, осажденного на предварительно нанесенный на полупроводниковую подложку контактный слой истока/стока, в котором формируется нанометровая щель, с последующим формированием на ее стенках и дне первого и третьего управляющих электродов, их спейсеров и подзатворного диэлектрика путем последовательного осаждения в щель и плазмохимического травления диэлектрика спейсеров и металла, а второй управляющий электрод формируется осаждением в зауженную на суммарную ширину первого и третьего управляющих электродов и их спейсеров щель слоя металла и его ПХТ, при этом вначале формируются диэлектрический спейсер и подзатворный диэлектрик второго управляющего электрода путем осаждения диэлектрика на боковые стенки первого и третьего управляющих электродов и дно щели в ВС. Одновременно с управляющими электродами формируются с использованием фоторезистивной маски, дополнительного слоя металла и метода сухого травления контактные площадки трех управляющих электродов, а контактные площадки истока/стока создаются после завершения технологических операций формирования управляющих электродов. 13 з.п. ф-лы, 10 ил.
Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления нанотранзисторов и СБИС. Технический результат: электрическое легирование с помощью дополнительных управляющих электродов затворов, позволяющее создавать более резкие p-n-переходы, чем в туннельных транзисторах с физическим легированием; увеличение крутизны вольт-амперных характеристик туннельных транзисторов и снижение их порогового напряжения; возможность изменения типа проводимости канала для применения предлагаемых транзисторов в КМОП технологии цифровых интегральных схем, отсутствие технологических операций, связанных с легированием, расширение функциональных возможностей, увеличение крутизны подпороговой вольтамперной характеристики за счет увеличения количества управляющих электродов затворов и обеспечение работы в режиме туннельного транзистора. Сущность изобретения: предлагается конструкция туннельного нелегированного многозатворного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки, характеризующаяся тем, что на поверхности слоя подзатворного диэлектрика располагаются последовательно два или больше управляющих электродов затворов на участке над каналом нанотранзистора между электродами стока и истока, при этом боковые поверхности управляющих электродов затворов закрыты слоями диэлектрика спейсеров, легирование слоя полупроводника не производится ни под электродами стока и истока, ни в канале нанотранзистора на участке между электродами стока и истока, а необходимые режимы работы нанотранзистора обеспечиваются использованием эффекта туннелирования и соответствующим выбором материалов электродов стока, истока и управляющих электродов затворов, а также прилагаемыми к управляющим электродам затворов напряжениями. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.
