Патенты автора ЧУ-КУН Бенджамин (US)
Изобретение относятся к области изготовления электронного устройства и, в частности, к изготовлению устройств на основе материалов III-V групп. Структура интегральной микросхемы включает подложку, включающую монокристаллический кремний, изолирующий слой на подложке, где указанный изолирующий слой содержит кремний и кислород и где в изолирующем слое выполнена канавка, открывающая поверхность монокристаллического кремния подложки, первый буферный слой в канавке и на поверхности монокристаллического кремния подложки, где первый буферный слой содержит индий и фосфор, второй буферный слой в канавке и на первом буферном слое, где второй буферный слой содержит индий, галлий, мышьяк и сурьму, слой канала устройства на втором буферном слое, где слой канала устройства содержит индий, галлий и мышьяк, причем слой канала устройства имеет верх и боковые стенки. 16 ил.
Изобретения могут быть использованы в электронных устройствах на подложке, например в транзисторах, интегральных схемах и т.д. Ребра электронного устройства могут быть сформированы путем эпитаксиального выращивания первого слоя материала поверх поверхности подложки на дне щели, сформированной между боковыми стенками областей узкощелевой изоляции (STI). Высота щели может составлять по меньшей мере 1,5 размера ее ширины и первый слой может заполнять меньше, чем высоту щели. Затем второй слой из материала может быть эпитаксиально выращен на первом слое щели и поверх верхних поверхностей областей STI. Второй слой может иметь вторую ширину, продолжающуюся поверх щели и поверх участков верхних поверхностей областей STI. Второй слой может затем быть структурирован и может быть вытравлен для формирования пары ребер электронного устройства поверх участков верхних поверхностей областей STI, проксимально щели. Изобретения позволяют исключить дефекты кристаллов в ребрах из-за различия между постоянными кристаллических решеток на границе перехода слоев. 4 н. и 37 з.п. ф-лы, 10 ил.
Изобретение относится к области изготовления электронных устройств, в частности устройств на основе материалов III-V групп. Способ изготовления устройства на основе материала III-V групп включает этапы, на которых в изолирующем слое на кремниевой подложке формируют канавку, в канавку наносят первый буферный слой на основе материала III-V групп на кремниевую подложку, на первый буферный слой наносят второй буферный слой на основе материала III-V групп, слой канала устройства на основе материала III-V групп наносят на второй буферный слой на основе материала III-V групп. Изобретение обеспечивает интеграцию устройств на основе материалов III-V групп n-типа и p-типа на кремниевой подложке. 3 н. и 15 з.п. ф-лы, 16 ил.
Изобретение относится к структурам электронных схем. Ребра электронного устройства сформированы путем эпитаксиального выращивания первого слоя материала поверх поверхности подложки на дне щели, сформированной между боковыми стенками областей узкощелевой изоляции (STI). Высота щели может составлять, по меньшей мере, 1,5 размера ее ширины, и первый слой может заполнять меньше, чем высоту щели. Затем второй слой из материала может быть эпитаксиально выращен на первом слое щели и поверх верхних поверхностей областей STI. Второй слой может иметь вторую ширину, продолжающуюся поверх щели и поверх участков верхних поверхностей областей STI. Второй слой может затем быть структурирован и может быть вытравлен для формирования пары ребер электронного устройства поверх участков верхних поверхностей областей STI, проксимально щели. Изобретение позволяет исключить дефекты кристаллов в ребрах, из-за различия между постоянными кристаллических решеток на границе перехода слоев. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 10 ил.
