Патенты автора Дзиов Давид Таймуразович (RU)
Изобретение относится к области производства высокотемпературных керамических изделий. Способ получения высокотемпературной керамики на основе оксида иттрия включает смешивание частиц оксида иттрия со связующим, формование изделий, сушку и отжиг. Частицы оксида иттрия представляют собой смесь порошка оксида иттрия с размером частиц 0,002 мм в количестве 9-18 вес.%, гранул оксида иттрия с размером частиц 0,05-0,15 мм в количестве 63-72 вес.% и гранул оксида иттрия с размером частиц 1,0-1,5 мм в количестве 12-21 вес.%, причём гранулы оксида иттрия получают в результате дробления материала, полученного путём плавки порошка оксида иттрия методом гарнисажа в тигле с температурой охлаждающей воды 22-32°С, и просеивания полученного дроблёного материала через сита с соответствующими размерами ячеек. Связующим материалом является водный раствор поливинилового спирта с концентрацией поливинилового спирта 1-8 вес.%. Сушку изделий проводят при температуре 120-300°С, отжиг на воздухе - при температуре 1250-1300°С и отжиг резистивным нагревом в высоком вакууме 10-3-10-5 Па при температуре 1900-2000°С. Технический результат изобретения – повышение устойчивости изделий к высоким температурам. 1 з.п. ф-лы, 1 пр., 1 табл.
Изобретение относится к выращиванию высококачественных высокотемпературных монокристаллов оксидов, в том числе профилированных, например, таких как лейкосапфир алюмоиттриевый гранат, рутил, и может быть использовано в лазерной технике, ювелирной и оптических отраслях промышленности. Способ включает плавку исходной шихты в тигле и последующий рост монокристалла на затравку при одновременном охлаждении расплава и последующее охлаждение выращенного монокристалла, при этом в тигель устанавливают выполненный из тугоплавкого материла с температурой плавления выше 2300°С формообразователь с конвекционными в нижней и разгрузочными в боковых частях прорезями, в качестве исходной шихты используют поликристаллический материал или поликристалл, полученный методом плавки в холодном тигле, либо осколки монокристалла соответствующего оксида, а рост монокристаллов ведут со скоростью от 0,5 до 4 мм/ч. Технический результат изобретения состоит в повышении качества выращенных монокристаллов, в разнообразии получаемых форм при сокращении материальных и временных затрат, в возможности выращивания монокристаллов как легированных, так и без примесей. 15 з.п. ф-лы, 9 пр.
