Патенты автора Байдусь Николай Владимирович (RU)

Использование: для получения диодных лазеров с малой расходимостью излучения, выполненных на основе полупроводниковой гетероструктуры с квантовыми ямами. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает возбуждение носителей по крайней мере в одной квантовой яме в активной области, заключенной в гетероструктуре между ограничительными слоями, сформированными на подложке в виде p-i-n или p-n-перехода, и генерацию излучения при увеличенной апертуре его выхода, в котором для расширения упомянутой апертуры в направлении, нормальном к плоскости гетероструктуры, и излучения при этом параллельно указанной плоскости обеспечивают частичный выход генерируемой фундаментальной моды в подложку за счет подбора достаточно тонкого ограничительного слоя со стороны подложки и управления превышением эффективного показателя преломления генерируемой фундаментальной моды над показателем преломления подложки на величину, не превышающую 0,0011. Технический результат: обеспечение возможности улучшения расходимости излучения. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

 


Наверх