Патенты автора Негров Дмитрий Владимирович (RU)
Изобретение относится к вычислительной технике. Техническим результатом является создание вычислительной системы для выполнения нейросетевых алгоритмов. Вычислительная система содержит массив вычислительных ядер, чередующихся с блоками локальной памяти, блок синхронизации, блок диагностики, краевые интерфейсные блоки, вспомогательное процессорное ядро, процессор общего назначения, динамическую оперативную память, контроллер динамической оперативной памяти, контроллер интерфейса, использующийся для подключения к внешней компьютерной системе. 9 з.п. ф-лы, 2 ил.
Настоящее изобретение относится к способам изготовления устройств на основе сегнетоэлектрических материалов. Такой способ может быть использован для разработки и создания переключаемых устройств опто- и микроэлектроники. Данный способ реализуется путем локальной имплантации ионов галлия в тонкую аморфную пленку оксида гафния толщиной 3-100 нм с помощью поточечного экспонирования пленки сфокусированным ионным пучком по заданному рисунку, причем доза экспонирования подбирается таким образом, чтобы средняя концентрация имплантированных ионов галлия в оксиде гафния составила 0,1-2,0 ат. %, после чего осуществляется термический отжиг образца при температуре 350-1000°С. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к способу построения нейросетевых процессоров для вывода в свёрточных нейронных сетях и нейросетевому процессору. Технический результат заключается в повышении быстродействия работы свёрточных нейронных сетей. В способе размещают на одной интегральной схеме нейросетевого процессора вычислительные элементы, которые располагаются в узлах регулярной сетки, а также разделяемые регистровые файлы, которые содержат локально сохраненные данные, при этом каждый разделяемый регистровый файл соединяется с несколькими соседними вычислительными элементами, каждый из которых по очереди осуществляет обработку данных из разделяемых регистровых файлов, а потом хранение выходных данных вычислений в этих разделяемых регистровых файлах; при этом на одной или нескольких сторонах интегральной схемы к совокупности крайних разделяемых регистровых файлов подсоединяются располагающиеся на той же стороне контроллеры ввода-вывода. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.
Использование: для создания интегрального элемента логики на основе многослойных структур из наноразмерных слоев металлов и изоляторов. Сущность изобретения заключается в том, что наноразмерный искусственный нейрон на основе многослойной структуры содержит первый слой металла M1, первый слой изолятора И1, слой хранения заряда СХЗ, второй слой изолятора И2 и второй слой метала М2, при этом первый слой изолятора И1 выполнен из материала с высокой степенью нелинейности вольт-амперной характеристики, причем такой, что сопротивление изолятора И1 резко падает при превышении заданной напряженности электрического поля, а второй слой изолятора И2 представляет собой тонкопленочный материал, характеризующийся возможностью обеспечения соответствующего заданного уровня тока через него для различных направлений протекания тока: из второго слоя металла М2 в слой хранения заряда СХЗ и в противоположном направлении. Технический результат: обеспечение возможности создания максимально простого двухтерминального устройства, обладающего функционалом «интегрировать-и-сработать» по принципу действия биологического нейрона: накапливать входной сигнал и при превышении им определенного порога выдавать токовый сигнал во внешнюю цепь. 11 з.п. ф-лы, 4 ил.
