Патенты автора ДУ Пэн (CN)
Индикаторная панель с тремя затворами // 2653128
Изобретение относится к средствам для отображения информации. Индикаторная панель с тремя затворами содержит: множество пиксельных блоков, каждый из которых включает три субпиксельных блока для отображения разных цветов, причем каждый субпиксельный блок снабжен тонкопленочным транзистором, исток которого соединен с зарядным электродом субпиксельного блока посредством конденсатора субпиксельного блока в чистом виде; множество затворных шин, которые последовательно расположены вдоль первого направления индикаторной панели, так чтобы они соединялись с затворами тонкопленочных транзисторов соответствующих субпиксельных блоков; множество шин передачи данных, которые последовательно расположены вдоль второго направления индикаторной панели, так чтобы они соединялись со стоками тонкопленочных транзисторов соответствующих субпиксельных блоков; и зону разветвления, включающую множество линий разветвления, причем выходные клеммы множества линий разветвления расположены в соответствии с множеством затворных шин и находятся в парных перекрестных соединениях с множеством затворных шин. Согласно настоящему изобретению разница заряда между разными цветами субпикселей может быть уменьшена. Следовательно, можно избежать изменения цвета изображения, сливающегося с фоном, на двух сторонах панели, и эффекты отображения могут быть улучшены. 6 з.п. ф-лы, 9 ил.
ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ТПТ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ // 2634088
Настоящее изобретение предлагает переключающий тонкопленочный транзистор (ТПТ), который включает затвор, сток, исток, полупроводниковый слой и четвертый электрод, причем сток соединяется с первым сигналом, затвор соединяется с управляющим сигналом для управления включением или отключением ТПТ, исток выводит первый сигнал, когда ТПТ включается, четвертый электрод и затвор соответственно расположены на двух сторонах полупроводникового слоя, и четвертый электрод является проводящим и выборочно соединяется с напряжениями разного уровня, причем первый сигнал является контрольным сигналом, и исток соединен с проверяемой линией сканирования или линией данных. Изобретение обеспечивает уменьшение тока утечки в канале переключающего ТПТ, чтобы улучшить переключающую характеристику при отключении ТПТ. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 6 ил.
ПОДЛОЖКА МАТРИЦЫ И ПАНЕЛЬ ДИСПЛЕЯ // 2627938
Использование: для создания жидкокристаллических панелей. Сущность изобретения заключается в том, что подложка матрицы включает по меньшей мере одну линию данных, по меньшей мере одну линию сканирования и пиксель, определяемый этими линией данных и линией сканирования, пиксель включает тонкую пленку ITO и по меньшей мере один металлический слой ниже тонкой пленки ITO, тонкая пленка ITO электрически соединяется с металлическим слоем через сквозное отверстие, тонкая пленка ITO включает прорезь, расположенную между тонкой пленкой ITO и сквозным отверстием и расположенную так, чтобы избежать возникновения линий дисклинации для улучшения эксплуатационных характеристик дисплея, причем длина и ширина прорези больше чем 2,5 мкм, причем пиксель включает тонкопленочный транзистор. Технический результат: обеспечение возможности улучшения эксплуатационных характеристик. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к тонкопленочному транзистору, подложке матрицы и панели дисплея. Тонкопленочный транзистор ТПТ включает затвор, первый изолирующий слой, расположенный над затвором, второй изолирующий слой, расположенный над первым изолирующим слоем, полупроводниковый слой, исток и сток, расположенные между первым изолирующим слоем и вторым изолирующим слоем, слой омического контакта, расположенный между полупроводниковым слоем, истоком и стоком, причем слой омического контакта включает отверстие, проходящее через слой омического контакта посредством зазора между истоком и стоком, чтобы открыть полупроводниковый слой, и второй изолирующий слой соединяется с полупроводниковым слоем через это отверстие, и проводящий слой, расположенный над вторым изолирующим слоем. Проводящий слой и затвор электрически связаны друг с другом, так что когда ТПТ находится в состоянии включения, ток включения, генерируемый в проводящих каналах полупроводникового слоя, увеличивается. Когда ТПТ находится в состоянии отключения, ток отключения, генерируемый в проводящих каналах, уменьшается. Таким образом, отношение тока включения к току отключения увеличивается. 3 н. и 12 з.п.ф-лы, 6 ил.
