Патенты автора Атрашков Антон Станиславович (RU)
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в изготовлении матричных фоточувствительных элементах (МФЧЭ) на квантовых ямах (QWIP). Задачей настоящего изобретения является способ определения достаточности глубины ионно-лучевого травления сложных полупроводниковых структур с отличающимися по скоростям травления составляющих структуру слоев, с наклонными боковыми поверхностями меза-элементов матрицы, с обеспечением необходимой достаточности глубины травления структуры до нижнего контактного слоя n+, не допуская нарушения связности (целостности) нижнего контактного слоя, что обеспечивает разделение сплошной ГЭС структуры на множество меза-элементов матрицы, соединенных нижним контактным слоем, открытым для соединения со схемой считывания. Технический результат достигается тем, что меза-элементы в МФЧЭ формируются ионно-лучевым травлением ионами инертного газа, например, аргона, в сложных эпитаксиальных структурах, состоящих из слоев с отличающимися скоростями травления, до контактного слоя n+. Достаточность глубины травления определяют по времени, необходимому для травления структуры до пересечения дна канавки с поверхностностью нижнего контактного слоя, по известным значениям скоростей травления пучком ионов по нормали к поверхности контактных слоев и активной области и косинусов углов, образующихся между нормалью и боковой поверхностью меза-элемента. 3 ил.
Способ изготовления матричного фотоприемника // 2749957
Изобретение относится к технологии многоэлементных матричных фотоприемников (МФП) на основе полупроводниковых материалов, чувствительных в широком спектральном диапазоне, в том числе МФП с фоточувствительной базовой областью на основе различных полупроводниковых материалов. Способ изготовления многоэлементного фотоприемника включает изготовление матрицы фоточувствительного элемента из одного из полупроводниковых материалов, выбранных из CdxHg1-xTe, InSb, InGaAs, QWIP, соединение матрицы со схемой считывания индиевыми микроконтактами, формирование на тыльной стороне матрицы пассивирующего слоя обработкой поверхности матрицы фоточувствительного элемента низкоэнергетическими ионами аргона и нанесение антиотражающего покрытия, обеспечивающего минимальное отражение в спектральном диапазоне чувствительности фотодиодов, при этом антиотражающее покрытие наносят вакуумным напылением с использованием для защиты схемы считывания маски, являющейся частью прецизионной конструкции устройства загрузки матрицы фоточувствительного элемента в вакуумную камеру, при этом маску совмещают с матрицей фоточувствительного элемента таким образом, что в процессе напыления маска не касается фоточувствительной поверхности. Изобретение направлено на повышение выхода годных матричных фотоприемников за счет снижения перегревания фоточувствительного элемента. 2 з.п. ф-лы, 1 пр., 2 ил.
Изобретение относится к способу изготовления многоэлементных или матричных фотоприемников на основе антимонида индия. Многоэлементный фотоприемник на основе антимонида индия включает матрицу фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с антиотражающим покрытием на освещаемой стороне фоточувствительных элементов (ФЧЭ), соединенных микроконтактами со схемой считывания. Предлагаемый способ включает пассивацию освещаемой поверхности ФЧЭ перед формированием антиотражающего покрытия, заключающуюся в том, что перед напылением антиотражающего покрытия с поверхности МФЧЭ ионным травлением удаляется слой собственного окисла без разгерметизации вакуумной камеры, что позволяет уменьшить скорость поверхностной рекомбинации фотогенерированных носителей тока и тем повысить квантовую эффективность и устранить захват носителей медленными состояниями. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности, улучшение однородности параметров матричных фотоприемников в серийном производстве за счет повышения квантовой эффективности фоточувствительных элементов. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
