Патенты автора Салгаева Ульяна Олеговна (RU)
Гибридное интегрально-оптическое устройство // 2781367
Изобретение относится к устройствам с интегрально-оптическими канальными волноводами на подложке из электрооптического материала, применяемым для создания интегрально-оптических схем. Повышение эффективности работы интегрально-оптического устройства при повышении эффективности управления характеристиками оптического излучения достигается за счет того, что в приповерхностном слое электрооптической подложки расположены оптический канальный низкоконтрастный волновод и участки ввода-вывода с оптическим канальным низкоконтрастным волноводом. На подложке расположен оптический канальный высококонтрастный волновод. Участки высококонтрастного волновода выполнены с адиабатическими тейперами, расположенными над низкоконтрастным волноводом. В области управления вдоль прямых участков низкоконтрастного волновода расположены управляющие электроды. Разница между показателем преломления электрооптической подложки и показателем преломления материала высококонтрастного волновода составляет 0,2-1,6. На прямых участках высококонтрастного волновода его линейные размеры поперечного сечения соответствуют размерам многомодового волновода. При этом с помощью расчетных размеров адиабатических тейперов на этих участках осуществляют одномодовый режим передачи оптического излучения. В области управления над прямыми участками низкоконтрастного волновода расположены участки высококонтрастного волновода с линейными размерами поперечного сечения, соответствующими одномодовому волноводу. У волновода не менее 10% мощности излучения локализовано в электрооптической подложке и/или в области управления над прямыми участками низкоконтрастного волновода расположены высококонтрастные адиабатические тейперы соседних участков высококонтрастного волновода, линейные размеры поперечного сечения которого соответствуют многомодовому волноводу. 3 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к области изготовления интегрально-оптических схем (ИОС) на основе сегнетоэлектрических или пироэлектрических кристаллов (например, ниобата лития, танталата лития и пр.). Предложен способ улучшения характеристик интегрально-оптической схемы, включающей в себя подложку или чип из оптического материала, склонного к химическому восстановлению в водородосодержащей среде. Способ включает в себя этапы, на которых наносят на поверхность рабочих областей подложки или чипа маскирующий слой; нагревают подложку или чип до температуры от 80°С до 600°С; выполняют обработку нерабочих частей поверхности подложки или чипа в водородосодержащей среде. Маскирующий слой по существу исключает контакт поверхности рабочих областей подложки или чипа с водородосодержащей средой. При реализации предложенного изобретения достигается повышение эксплуатационных свойств интегральной оптической схемы. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 4 ил.
Использование: для создания функциональных элементов интегральных оптических схем. Сущность изобретения заключатся в том, что способ включает в себя этапы, на которых задают форму и размеры части поверхности подложки, подлежащей воздействию плазмы; обрабатывают заданную часть поверхности подложки плазмой, при этом плазма содержит ионы водорода с энергиями менее 10 кэВ. Технический результат: обеспечение возможности повышения качества структуры приповерхностного слоя получаемого функционального элемента. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
