Патенты автора ЧЖАО Цзюньфэн (CN)
Изобретение относится к многоуровневым полупроводниковым приборам. Полупроводниковый узел содержит первый блок кристалла и второй блок кристалла. Первый блок кристалла включает в себя первый кристалл, имеющий верхнюю поверхность первого кристалла и нижнюю поверхность первого кристалла, и первую кромку, отходящую в поперечном направлении от первого кристалла, причем первая кромка включает в себя верхнюю поверхность первой кромки, расположенную вблизи верхней поверхности первого кристалла, и нижнюю поверхность первой кромки, расположенную вблизи нижней поверхности первого кристалла, при этом нижняя поверхность первого кристалла и нижняя поверхность первой кромки расположены вблизи входного и выходного массивов для полупроводникового узла. Второй блок кристалла включает в себя второй кристалл, имеющий верхнюю поверхность второго кристалла и нижнюю поверхность второго кристалла, и вторую кромку, отходящую в поперечном направлении от второго кристалла, причем вторая кромка включает в себя верхнюю поверхность второй кромки, расположенную вблизи верхней поверхности второго кристалла, и нижнюю поверхность второй кромки, расположенную вблизи нижней поверхности второго кристалла. Кроме того, полупроводниковый узел содержит множество проводящих дорожек, выходящих наружу за пределы второго кристалла в направлении нижней поверхности второй кромки. По меньшей мере верхняя поверхность первой кромки является самой верхней поверхностью первого блока кристалла, а нижняя поверхность второй кромки является самой нижней поверхностью второго блока кристалла. При этом множество проводящих дорожек расположены между верхней поверхностью первого кристалла и нижней поверхностью второго кристалла. Полупроводниковый узел также содержит одно или более переходных отверстий, проходящих через по меньшей мере одну из первой и второй кромок, причем указанное одно или более переходных отверстий связаны с первым и вторым кристаллам при помощи множества проводящих дорожек и по меньшей мере одной из первой и второй кромок. 2 н. и 21 з.п. ф-лы, 11 ил.
Изобретение относится к области технологий хранения. Техническим результатом является повышение эффективности управления файлами. Раскрыт способ управления файлами, в котором способ применяется к распределенной системе хранения, причем распределенная система хранения содержит узел управления и многочисленные узлы хранения, и при этом способ содержит этапы, на которых: принимают, посредством узла управления, запрос создания файла, отправленный хостом, при этом запрос создания файла используется, чтобы запросить создание файла в распределенной системе хранения; выделяют файлу, посредством узла управления, первое виртуальное пространство из глобального виртуального адресного пространства распределенной системы хранения согласно запросу создания файла, при этом локальное виртуальное адресное пространство каждого узла хранения в распределенной системе хранения соответствует части глобального виртуального адресного пространства; записывают, посредством узла управления, метаданные файла, при этом метаданные файла содержат информацию о первом виртуальном пространстве, выделенном файлу, и информация о первом виртуальном пространстве используется для указания на первое локальное виртуальное адресное пространство первого узла хранения, который используется для хранения файла; и отправляют хосту, посредством узла управления, ответ об успешном создании файла, при этом ответ об успешном создании файла несет информацию о первом виртуальном пространстве. 3 н. и 18 з.п. ф-лы, 10 ил.
Изобретение относится к сетевой архитектуре, а именно к серверному шкафу и центру обработки и хранения данных на основе серверного шкафа. Технический результат заключается в уменьшении воздействия электромагнитного излучения на различные электронные приборы и устройства, что увеличивает срок службы электронных приборов и устройств и повышает качество передачи радиосигнала. Серверный шкаф содержит, по меньшей мере, два функциональных узла, множество внутрисерверных антенн и множество межсерверных антенн. Функциональные узлы размещены в вертикальном направлении с образованием серверного ядра; внутрисерверные антенны размещены в вертикальном направлении, расположены сбоку от серверного ядра и соединены электрически с соответствующими функциональными узлами, а соседние внутрисерверные антенны соединены беспроводным образом. При передаче радиосигнала внутри серверного шкафа размещенные в вертикальном направлении внутрисерверные антенны образуют передающий тракт. Поскольку внутрисерверные антенны расположены сбоку от серверного ядра, электромагнитное излучение, создаваемое радиосигналом в процессе передачи, оказывает относительно небольшое воздействие на функциональные узлы, обеспечивая указанный технический результат. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 13 ил.
Изобретение относится к технологии многоуровневых полупроводниковых устройств. Способ изготовления многослойного полупроводникового устройства включает формирование кромок на первом и втором кристаллах, формирование слоев перераспределения, проходящих по меньшей мере по одному из соответствующих первого и второго кристаллов и соответствующим кромкам, укладывание второго кристалла поверх первого кристалла, просверливание одного или более переходных отверстий через кромки после укладки, которые взаимодействуют с первым и вторым кристаллами через кромки. При этом способ дополнительно содержит этапы, на которых формируют первую восстановленную панель кристаллов, включающую первое множество кристаллов, сформированных на рамке панели, причем первое множество кристаллов включает в себя первый кристалл, и формируют вторую восстановленную панель кристаллов, включающую второе множество кристаллов, сформированных на другой рамке панели, причем второе множество кристаллов включает в себя второй кристалл, и кристаллы из первого и второго множества кристаллов сортируют для обеспечения использования только работоспособных кристаллов для формирования первой и второй восстановленных панелей, при этом на этапе формирования кромок окружают периферию кристаллов первой и второй восстановленных панелей. Изобретение обеспечивает улучшение характеристик полупроводниковых устройств. 3 н. и 16 з.п. ф-лы, 11 ил.
