Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано для создания генераторов сверхвысокочастотного (СВЧ) диапазона. Технический результат заключается в повышении добротности резонаторов на ПАВ на высоких частотах более 1 ГГц. Резонатор содержит пьезоэлектрическую подложку, на поверхности которой сформировано не менее двух отражающих структур (ОС), состоящих из массивов отражателей с переменным или постоянным периодом, и, по меньшей мере, один встречно-штыревой преобразователь (ВШП), сформированный на обращенной к пьезоэлектрической подложке стороне диэлектрической пластины, установленной параллельно пьезоэлектрической подложке с зазором между диэлектрической пластиной и пьезоэлектрической подложкой. Отражатели в ОС могут быть выполнены в виде канавок. Встречно-штыревые преобразователи электрически соединены либо параллельно, либо последовательно, либо каскадно, или в комбинациях соединений. 4 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к области радиотехники, в частности к пьезотехнике и акустоэлектронике. Резонатор на поверхностных акустических волнах содержит подложку из пьезоэлектрического материала с высоким коэффициентом электромеханической связи, на поверхности которой сформированы встречно-штыревой преобразователь и не менее двух отражающих структур, состоящих из массивов отражателей, выполненных с шириной и периодом следования, кратным определенной доле длины волны. Встречно-штыревой преобразователь резонатора разделен на две секции электродов акустической полостью, длина которой между двумя секциями встречно-штыревого преобразователя выбирается из диапазона 0,01 λ/δfR<L<3,0 λ/δfR, где L - длина акустической полости, δfR - относительная ширина полосы отражения отражающих структур, которая может принимать значение δfR=0,003..0,03, λ - длина поверхностной акустической волны на свободной поверхности на резонансной частоте. Техническим результатом является повышение добротности резонатора на поверхностных акустических волнах. 16 з.п. ф-лы, 4 ил.