Патенты автора Рогожин Александр Егеньевич (RU)
Изобретение относится к технологии осаждения изолирующих и пассивирующих диэлектрических покрытий на подложках типа AlGaN/AlN/GaN методом плазмо-стимулированного атомно-слоевого осаждения из металлоорганических прекурсоров таким образом, чтобы получить сниженные токи утечки и пассивацию поверхностных зарядовых состояний. Способ плазмо-стимулированного атомно-слоевого осаждения пленок изолирующих диэлектрических покрытий на подложки гетероструктур нитрид-галлиевых полупроводниковых приборов характеризуется тем, что поверхность гетероструктуры проходит предварительную обработку в индуктивно связанной плазме водорода низкого давления при пониженной вкладываемой в разряд мощности в зоне, удаленной от источника плазмы, в которой обеспечивается низкая концентрация ионов, не более 109 см-3 и одновременно высокая концентрация химически активных радикалов, не менее 1013 см-3, стимулирующие поверхностные реакции пассивации оборванных химических связей и удаления естественного оксида, адсорбированной из атмосферы влаги и других поверхностных адсорбатов для обеспечения последующего атомно-слоевого роста пленки на поверхности с минимальным количеством поверхностных состояний на границе раздела пленка-подложка. Технический результат: получение диэлектрического покрытия с низким содержанием дефектов и ловушек на границе с полупроводником состава AlGaN, что приводит к улучшению электрических и частотных характеристик формируемых нитрид-галлиевых полупроводниковых приборов. 2 з.п. ф-лы.
