Патенты автора Беляев Илья Викторович (RU)
Группа изобретений относится к области газового анализа. Способ изготовления одноэлектродного газового сенсора на основе титановой проволоки, которую согласно изобретению окисляют методом анодирования в электрохимической ячейке, чтобы сформировать мезопористый оксидный слой, состоящий из радиально-ориентированных упорядоченных нанотрубок ТiO2 с толщиной стенок до 20 нм и внутренним диаметром до 150 нм. Указанным способом получают одноэлектродный газовый сенсор, в котором в качестве нагревательного и измерительного электродов используют титановую проволоку диаметром 50-250 мкм, а каталитическим слоем служит мезопористый оксидный слой, состоящий из нанотрубок ТiO2. Данный одноэлектродный сенсор имеет отклик к органическим парам в виде изменения сопротивления при пропускании рабочего тока в диапазоне 80-200 мА. Для использования в сенсорных устройствах одноэлектродный газовый сенсор подключают либо напрямую к источнику тока, либо подключают к источнику напряжения через делитель, либо включают в мостовую схему, где компенсирующим элементом служит либо пассивный резистор, имеющий сопротивление, близкое по значению к сопротивлению окисленной титановой проволоки, либо другой одноэлектродный сенсор на основе окисленной титановой проволоки с отличающимся диаметром металлического титана. С целью селективного анализа газов на основе набора одноэлектродных газовых сенсоров, количеством не менее трех, составляют мультисенсорную линейку, векторный сигнал которой позволяет различить воздействие однотипных паров спиртов, например изопропанола и этанола. Группа изобретений обеспечивает возможность создания одноэлектродного газового сенсора с низкой себестоимостью, а также сенсорных устройств на основе такого сенсора и мультисенсорных линеек. 4 н. и 3 з.п. ф-лы, 10 ил.
Изобретение относится к области метрологии тонких пленок, а именно к способу измерения толщины тонких прозрачных пленок бесконтактным способом с помощью интерферометра. При реализации способа измерения толщины тонкой пленки и картирования топографии ее поверхности с помощью интерферометра белого света подвергают воздействию белого света подложку с нанесенной измеряемой пленкой и измеряют набор коррелограмм. При этом предварительно подвергают воздействию белого света с ограниченной когерентностью подложку, не содержащую измеряемую пленку, и измеряют коррелограммы, после чего выделяют опорную коррелограмму. Кроме того, измерение набора коррелограмм осуществляют по каждому пикселю, которые аппроксимируют взвешенной суммой двух или более опорных коррелограмм, вычисляют набор толщин пленки и положений ее подложки, по результатам которого строятся карты топографии поверхности и толщины пленки. Технический результат - увеличение точности определения толщины тонких пленок и увеличение топографической разрешающей способности топографического картирования поверхности пленки. 3 з.п. ф-лы, 5 ил., 1 табл.
Изобретение относится к области метрологии тонких пленок. Способ определения толщины пленки с помощью интерферометрии белого света, при котором подложку, содержащую измеряемую пленку, подвергают в интерферометре воздействию белого света с ограниченной когерентностью и измеряют коррелограммы, характеризуется тем, что предварительно подложку, не содержащую измеряемую пленку, подвергают воздействию белого света с ограниченной когерентностью и определяют набор коррелограмм, кроме того, набор коррелограмм определяют для каждого пикселя оптического поля, после чего выделяют нелинейную в зависимости от волнового числа часть фазового спектра, аппроксимируют фазовые спектры известным теоретическим нелинейным спектром фазового сдвига, вызванного пленкой, определяя локальную толщину пленки как параметр наилучшей аппроксимации, получают в результате набор толщин пленки и положений ее подложки, по результатам которого строятся карты топографии поверхности и толщины пленки, причем нелинейный фазовый спектр объектной коррелограммы поверхности, содержащей пленку, корректируют путем вычитания нелинейного фазового спектра опорной коррелограммы. Технический результат заключается в снижении нижней границы диапазона толщин измеряемых тонких пленок и повышении помехозащищенности способа. 3 з.п. ф-лы, 5 ил.
