Патенты автора Шубников Александр Валерьевич (RU)
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано в процессах термической обработки полупроводниковых пластин, например диффузии ионно-имплантированных материалов в полупроводниковых структурах. Сущность изобретения заключается в том, что в вакуумный комплекс термического отжига полупроводниковых пластин, содержащий рабочую камеру 1, включающую нагреватель 2, держатель пластин 5, сопряженный с первым приводом 6, и включающую также первый модуль откачки 8, при этом вакуумный комплекс содержит также модуль охлаждения 22, введена перегрузочная камера 10, сопряженная с рабочей камерой 1 и включающая манипулятор 11 с захватом пластин 12, при этом модуль охлаждения 22 расположен в перегрузочной камере 10 и выполнен в виде корпуса 24 с полостью 25, сопряженного с источником хладагента 23, причем в корпусе 24 сформированы первые отверстия 26, расположенные в сторону захвата пластин 12, в котором выполнены вторые отверстия 14. Технический результат изобретения заключается в повышении равномерности охлаждения полупроводниковых пластин. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к оборудованию для производства интегральных схем микромеханических и оптоэлектронных устройств. Сущность изобретения заключается в том, что в устройство введено по меньшей мере одно дополнительное сопло 5 с продольной осью O3-О4, оси O3-O4 сопел 5 расположены под углами λ, находящимися в диапазоне 20-80° к поверхности А платформы 1, причем ось O1-O2 и оси O3-O4 сопел 5 не пересекаются, а проекции осей O3-O4 в плоскости поверхности А платформы 1 составляют углы β с осями, проходящими через центр платформы 1 О и центры оснований 13 сопел 5, при этом оси O3-O4 со сторон, противоположных основаниям 13, направлены по касательной к образующей В столика 3 и могут отклоняться от этого направления в диапазоне +/- 20°. Технический результат изобретения заключается в повышении степени ионизации компонентов газовой смеси за счет вихревого движения по спирали потоков газа внутри колпака. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к области робототехники, в частности к манипуляторам для перемещения полупроводниковых пластин. Задача изобретения заключается в создании прецизионного манипулятора для транспортировки полупроводниковых пластин в производстве изделий электронной техники. Манипулятор содержит основание с установленным на нем подшипниковым узлом с коаксиально расположенными в корпусе внутренним валом и внешним валом, привод, руку, состоящую из плеча, локтя и кисти, на концах которой расположено не менее одного держателя пластин. Изобретение обеспечивает повышение точности позиционирования. 6 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к реакторам высокоплотной и высокочастотной плазменной обработки, и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что реактор для плазмохимического травления полупроводниковых структур содержит трансформатор, выполненный в виде ВЧ кабеля, намотанного на ферритовые кольца, при этом внутренняя жила ВЧ кабеля с одной стороны соединена с выходом ВЧ генератора, а с другой стороны подключена к первому выводу спирального индуктора, первый конец оплетки ВЧ кабеля соединен с землей, а второй конец оплетки ВЧ кабеля соединен со вторым выводом спирального индуктора. Технический результат – повышение эффективности, передаваемой от ВЧ генератора мощности в реактор. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Суть настоящего изобретения состоит в процессе формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек. Способ основан на применении перспективной «аддитивной технологии», то есть топологические элементы функционального слоя создаются на локальных участках подложки путем прямого осаждения на них материала. В процессе формирования элементов не используются фотошаблоны и фоторезистивные маски. Задачей настоящего изобретения является повышение воспроизводимости и точности формирования топологических элементов функциональных слоев, а также увеличение производительности и снижение стоимости способа их получения. 3 ил.
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ // 2634534
Изобретение относится к устройствам для нанесения покрытий в вакууме. Устройство содержит плоскую мишень, установленную на основании, первую магнитную систему, расположенную внутри корпуса с первым каналом водяного охлаждения, источник питания электрического разряда и источник ионов газа. Основание установлено на корпусе. Источник ионов газа содержит внутренний полюсный наконечник с первой стенкой, внешний полюсный наконечник со второй стенкой, кольцевой анод со вторым каналом водяного охлаждения, плиту с третьим каналом водяного охлаждения, вторую магнитную систему и высоковольтный источник питания. Первая стенка и вторая стенка расположены напротив друг друга и образуют выходную апертуру, расположенную со стороны плоской мишени, а внутренний полюсный наконечник и внешний полюсный наконечник охватывают корпус с внешней стороны и отделены от него изолятором. В результате снижается рабочее давление и повышается качество наносимых покрытий. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
