Патенты автора Федорова Ирина Дмитриевна (RU)

Изобретение относится к оборудованию для осаждения тонких пленок и покрытий из паров химических веществ на плоскую полупроводниковую подложку и может быть использовано в технологических процессах изготовления электронных и электромеханических приборов. Устройство для осаждения тонких пленок из газовой фазы на плоскую полупроводниковую подложку содержит камеру, в которой расположены подложкодержатель, модули подачи и откачки технологических газов, модули подачи и откачки инертных газов и нагреватель. Нагреватель установлен над подложкодержателем, подложкодержатель выполнен с круглым гнездом с дном для размещения в нем подложки рабочей стороной вниз, модули подачи и откачки технологических газов и модули подачи и откачки инертных газов встроены в подложкодержатель. Количество модулей подачи и откачки технологических газов кратно трем. Модули подачи и откачки инертных газов расположены между модулями подачи и откачки технологических газов. Каждый модуль подачи и откачки технологических газов включает источник струйной плазмы, выполненный с каналом, в котором расположен первый электрод и по меньшей мере один второй электрод. Источник струйной плазмы и по меньшей мере один второй электрод сопряжены посредством углубления, сформированного в дне круглого гнезда. Источник струйной плазмы установлен под углом 40-60° ко дну круглого гнезда, расположенным в первой плоскости, перпендикулярной второй плоскости, проходящей через ось подложкодержателя, и радиус, соединяющий центр подложкодержателя с центром выхода источника струйной плазмы в углубление. В частных случаях осуществления изобретения между подложкодержателем и нагревателем установлена оптически прозрачная пластина. Обеспечивается упрощение конструкции устройства и использование меньшего количества исходных реагентов для осаждения тонких пленок из газовой фазы. 1з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к устройствам для нанесения покрытий в вакууме. Устройство содержит плоскую мишень, установленную на основании, первую магнитную систему, расположенную внутри корпуса с первым каналом водяного охлаждения, источник питания электрического разряда и источник ионов газа. Основание установлено на корпусе. Источник ионов газа содержит внутренний полюсный наконечник с первой стенкой, внешний полюсный наконечник со второй стенкой, кольцевой анод со вторым каналом водяного охлаждения, плиту с третьим каналом водяного охлаждения, вторую магнитную систему и высоковольтный источник питания. Первая стенка и вторая стенка расположены напротив друг друга и образуют выходную апертуру, расположенную со стороны плоской мишени, а внутренний полюсный наконечник и внешний полюсный наконечник охватывают корпус с внешней стороны и отделены от него изолятором. В результате снижается рабочее давление и повышается качество наносимых покрытий. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

 


Наверх