Патенты автора Буравлев Алексей Дмитриевич (RU)
Способ осаждения коллоидных наночастиц золота на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин // 2693546
Использование: для формирования массивов наночастиц золота на поверхности кремниевых пластин. Сущность изобретения заключается в том, что способ осаждения коллоидных наночастиц золота на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин заключается в том, что наночастицы, имеющие в коллоидном растворе отрицательный заряд, могут быть нанесены на поверхность кремниевых пластин благодаря проведению процессов их предварительной ионно-плазменной обработки, вследствие которых на поверхности пластин возникает положительный заряд. Технический результат: обеспечение возможности контролируемого нанесения золотых частиц на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, а именно к получению пластин монокристалла широкозонного нитрида галлия (GaN) с гексагональной кристаллической решеткой. Способ получения пластины монокристалла нитрида галлия характеризуется поэтапным формированием слоистой структуры: на первом этапе на подложке Si (111) формируют слой SiC методом замещения атомов с образованием углерод-вакансионных структур, на втором этапе на полученном слое SiC формируют слой GaN N-полярности методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота, на третьем этапе на слое GaN N-полярности формируют слой AlN Al-полярности методом хлорид-гидридной эпитаксии, на четвертом этапе на слое AlN Al-полярности формируют слой GaN Ga-полярности методом хлорид-гидридной эпитаксии, после чего полученную слоистую структуру выдерживают в щелочном травильном растворе до отделения от нее верхнего слоя GaN Ga-полярности. Достигаемый технический результат - высокое кристаллическое совершенство пластины монокристалла GaN за счет использования в качестве подложки Si (111) и обеспечения эпитаксиального роста GaN на близких по параметру кристаллических решеток предшествующих слоях, один из которых подвержен химическому травлению для отделения верхнего слоя GaN. 5 ил.
Техническое решение относится к области защиты изделий, ценных бумаг и документов. Технический результат заключается в повышении защищенности данных документов и изделий и упрощении процедуры верификации подлинности. В способе в защищаемый документ, ценную бумагу или изделие вводят или наносят метку, в которой содержатся полупроводниковые нитевидные нанокристаллы с заданными параметрами, которые могут быть обнаружены с использованием различных детектирующих устройств. Причем полученные таким образом гетероструктурированные нитевидные нанокристаллы выполняют на основе комбинации материалов с различными запрещенными зонами, а также структур с комбинированной размерностью типа квантовые точки внутри нитевидных нанокристаллов, что обеспечит возможность кодирования при их использовании данных документов, а также простоту верификации. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.
