Патенты автора Хегай Дмитрий Климович (RU)

Изобретение относится к технологии получения пленок аморфного кремния и может быть использовано в современной микроэлектронике, оптоэлектронике и интегральной оптике для создания интегральных схем, тонкопленочных солнечных элементов и транзисторных матриц большой площади для жидкокристаллических дисплеев. Способ нанесения тонкого слоя аморфного кремния на подложку включает обеспечение контакта поверхности подложки со светочувствительным веществом, содержащим кремний, и направление на поверхность контакта поверхности подложки с содержащим кремний светочувствительным веществом ультрафиолетового излучения, обеспечивающего протекание фотохимической реакции с образованием слоя аморфного кремния. В качестве светочувствительного вещества, содержащего кремний, используют галогенид кремния, на поверхность контакта с подложкой которого направляют ультрафиолетовое излучение с длиной волны 100-350 нм и плотностью мощности 1-15 мВт/см2 и обеспечивают в течение 0,6-15 мин при температуре 1-140°С и нормальном давлении получение слоя аморфного кремния толщиной 50-400 нм. В частном случае осуществления изобретения в качестве материала подложки используют сапфир. Обеспечивается упрощение технологии, снижение затрат на производство, а также усиление безопасности при реализации технологического процесса нанесения тонкого слоя аморфного кремния на подложку. 1 з.п. ф-лы, 1 пр.

 


Наверх